[發明專利]陣列基板以及具有該陣列基板的液晶面板

在審

• 申請號: 201710102380.3
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN106783845A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 虞曉江
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,何嬌

技術領域

本發明屬于電氣保護領域，特別涉及一種能夠有效釋放靜電電壓的陣列基板以及具有該陣列基板的液晶面板。

背景技術

液晶面板器件在生產制造過程中或工作在一定的電壓、電流和功耗限定范圍內時，大量聚集的靜電荷在條件適宜時會產生高壓放電，靜電放電(ESD，Elctro-Static Discharge)通過電路器件引線的高壓瞬時傳送，可能會使電路器件的絕緣層擊穿，造成電路器件的功能喪失。低溫多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-Silicon)技術應用在顯示面板上時，由于TFT模塊的引入，數字信號要在更高的頻率上工作，則增加了靜電放電事件在電路器件上發生的概率。且低溫多晶硅陣列基板(Array)結構設計中，可以為顯示區提供柵極驅動信號的驅動電路區(GOA)往往含有較大面積的金屬，容易受靜電放電事件影響，產生較大的靜電電壓。驅動電路區的靜電電壓可沿柵極線傳入顯示區，造成與驅動電路區相鄰的顯示區邊緣像素損壞。

現有技術中，通常通過在顯示區邊緣設置虛擬像素區(Dummy Pixel)的方法來達到靜電保護的目的。該方法的原理是使靜電電壓在虛擬像素區充分釋放，避免靜電的高電壓繼續傳入顯示區而造成顯示區的像素被擊傷。

例如，如圖1所示，其為現有的陣列基板的局部示意圖。所述陣列基板主要包括：虛擬像素區1’、源極線2’、柵極線3’、多晶硅走線4’、像素ITO走線5’、顯示區6’以及驅動電路區7’。其中，所述虛擬像素區1’位于顯示區6’的邊緣，即顯示區6’與驅動電路區7’之間。源極線2’與柵極線3’異面垂直，多晶硅走線4’與柵極線3’異面交叉，且多晶硅走線4’與源極線2’通過過孔(圖中未標示)連接。在陣列基板的制造過程中，驅動電路區7’產生的ESD高電壓在沿柵極線3’傳入顯示區6’前，由于柵極線3’僅和虛擬像素區1’中的多晶硅走線4’異面重疊二次，(柵極線3’和多晶硅走線4’之間僅隔著約100納米厚的柵極絕緣層，柵極線3’和多晶硅走線4’之間的高電壓差容易造成柵極絕緣層被擊穿)，重疊面積非常有限，因此常常有未被釋放掉的ESD高電壓繼續傳入顯示區6’而造成顯示區6’的像素被擊傷，在顯示區6’邊緣造成異常亮點或暗點。

換言之，本申請的發明人發現，當虛擬像素區1’內的多晶硅走線4’與柵極線3’異面重疊的面積等于或小于顯示區6’內的多晶硅走線4’與柵極線3’異面重疊的面積時，無法有效釋放掉靜電電壓。因此在靜電電壓過大時，虛擬像素區無法對其進行充分釋放，致使靜電電壓繼續沿柵極線傳入顯示區，破壞顯示區像素功能。

發明內容

本發明目的在于提供一種陣列基板以及具有該陣列基板的液晶面板，其能夠有效釋放靜電電壓，大大削弱可能會繼續沿柵極線傳入顯示區的靜電電壓，避免破壞顯示區像素功能。

為達上述目的，本發明提供一種陣列基板，其包括：虛擬像素區、顯示區以及驅動電路區，所述虛擬像素區位于顯示區與驅動電路區之間，所述顯示區和虛擬像素區內均設置有異面交叉的多晶硅走線和柵極線；

其中，所述虛擬像素區內的多晶硅走線與柵極線異面重疊的面積大于顯示區內的多晶硅走線與柵極線異面重疊的面積。

所述的陣列基板，其中，在虛擬像素區內，多晶硅走線與柵極線異面交叉至少三次。

所述的陣列基板，其中，在虛擬像素區內，多晶硅走線與柵極線異面交叉七次。

所述的陣列基板，其中，在虛擬像素區內，與柵極線異面交叉的多晶硅走線為并聯連接。

所述的陣列基板，其中，在虛擬像素區內，與柵極線異面交叉的多晶硅走線為串聯連接。

所述的陣列基板，其中，在虛擬像素區內，虛擬像素區內的多晶硅走線的線寬大于顯示區內的多晶硅走線的線寬。

所述的陣列基板，其中，在虛擬像素區內，虛擬像素區內的柵極線的線寬大于顯示區內的柵極線的線寬。

所述的陣列基板，其中，在虛擬像素區與顯示區之間還設置有過渡區，所述過渡區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積小于或等于虛擬像素區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積，并且所述過渡區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積大于或等于顯示區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積。

所述的陣列基板，其中，所述過渡區為虛擬像素區或顯示區。

本發明還提供一種液晶面板，其包括上述的陣列基板。

綜上所述，本發明的有益效果是：