[發明專利]陣列基板以及具有該陣列基板的液晶面板在審
| 申請號： | 201710102380.3 | 申請日： | 2017-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN106783845A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 虞曉江 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 | 代理人： | 吳大建,何嬌 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 以及 具有 液晶面板 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：虛擬像素區、顯示區以及驅動電路區，所述虛擬像素區位于顯示區與驅動電路區之間，所述顯示區和虛擬像素區內均設置有異面交叉的多晶硅走線和柵極線；
其中，所述虛擬像素區內的多晶硅走線與柵極線異面重疊的面積大于顯示區內的多晶硅走線與柵極線異面重疊的面積。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在虛擬像素區內，多晶硅走線與柵極線異面交叉至少三次。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在虛擬像素區內，多晶硅走線與柵極線異面交叉七次。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在虛擬像素區內，與柵極線異面交叉的多晶硅走線為并聯連接。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在虛擬像素區內，與柵極線異面交叉的多晶硅走線為串聯連接。
6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在虛擬像素區內，虛擬像素區內的多晶硅走線的線寬大于顯示區內的多晶硅走線的線寬。
7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在虛擬像素區內，虛擬像素區內的柵極線的線寬大于顯示區內的柵極線的線寬。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的陣列基板，其特征在于，在虛擬像素區與顯示區之間還設置有過渡區，所述過渡區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積小于或等于虛擬像素區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積，并且所述過渡區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積大于或等于顯示區內的多晶硅走線與柵極線之間的重疊面積。
9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述過渡區為虛擬像素區或顯示區。
10.一種液晶面板，其特征在于，包括根據權利要求1至9中任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
