[發(fā)明專利]一種量子點電致發(fā)光器件及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710102352.1
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN106935719A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周凱鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建

1.一種量子點電致發(fā)光器件，包括：

陽極，設(shè)置于基底上；

第一空穴注入層，為中性空穴注入層，設(shè)置于所述陽極上；

第二空穴注入層，設(shè)置于所述第一空穴注入層上；

量子點發(fā)光層，設(shè)置于所述第二空穴注入層上；

陰極，設(shè)置于所述量子點發(fā)光層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二空穴注入層為酸性空穴注入層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一空穴注入層的材料HOMO能級介于所述陽極的材料HOMO能級與所述量子點發(fā)光層的材料HOMO能級之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一空穴注入層的材料包括PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO-co-NEPBN或PFO-co-NEPBN:F4-TCNQ。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述第二空穴注入層的材料包括PEDOT：PSS。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，在所述第二空穴注入層和所述量子點發(fā)光層之間還設(shè)置有空穴傳輸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，在所述量子點發(fā)光層和所述陰極之間還設(shè)置有電子傳輸層。

8.一種用于制作量子點電致發(fā)光器件的方法，包括：

在基底上形成陽極；

在所述陽極上形成中性第一空穴注入層；

在所述第一空穴注入層上形成第二空穴注入層；

在所述第二空穴注入層上形成量子點發(fā)光層；

在所述量子點發(fā)光層上形成陰極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述量子點發(fā)光層之前，在所述第二空穴注入層上形成空穴傳輸層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述陰極之前，在所述量子點發(fā)光層上形成電子傳輸層。