[發明專利]一種量子點電致發光器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201710102352.1
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN106935719A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 周凱鋒
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體地說，尤其涉及一種量子點電致發光器件及其制作方法。

背景技術

QLED(Quantum Dots Light-Emitting Diode，量子點電致發光器件)與OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極管)一樣可以主動發光，具有響應速度快、視角廣、輕薄、低功耗等優點，但其色純度更高，應用于顯示器可顯示更廣色域。量子點材料可以改變表面配體，易溶于多種溶劑中，非常適合低成本的溶液加工工藝。

PEDOT：PSS作為一種商業化空穴注入層材料，被廣泛用于溶液加工型QLED器件中，使得器件具有優異的性能。但是，PEDOT：PSS在常溫下PH值介于1～3之間，呈酸性特征。

相關研究表明，酸性的PEDOT：PSS會造成陽極界面的不穩定，降低器件使用壽命。這主要是因為ITO(IndiumTinOxide，氧化銦錫)中的In₂O₃(Indium(III)oxide，氧化銦)成分會在酸性環境下溶解，導致ITO中的銦發生遷移進入PEDOT：PSS中增加空穴注入勢壘。如果銦擴散到量子發光層，則會造成激子的淬滅，從而導致器件效率和壽命的大幅下降。

發明內容

為解決以上問題，本發明提供了一種量子點電致發光器件及其制作方法，用于調控陽極空穴注入濃度并提高器件的穩定性和壽命。

根據本發明的一個方面，提供了一種量子點電致發光器件，包括：

陽極，設置于基底上；

第一空穴注入層，為中性空穴注入層，設置于所述陽極上；

第二空穴注入層，設置于所述第一空穴注入層上；

量子點發光層，設置于所述第二空穴注入層上；

陰極，設置于所述量子點發光層上。

根據本發明的一個實施例，所述第二空穴注入層為酸性空穴注入層。

根據本發明的一個實施例，所述第一空穴注入層的材料HOMO能級介于所述陽極的材料HOMO能級與所述量子點發光層的材料HOMO能級之間。

根據本發明的一個實施例，所述第一空穴注入層的材料包括PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO-co-NEPBN或PFO-co-NEPBN:F4-TCNQ。

根據本發明的一個實施例，所述第二空穴注入層的材料包括PEDOT：PSS。

根據本發明的一個實施例，在所述第二空穴注入層和所述量子點發光層之間還設置有空穴傳輸層。

根據本發明的一個實施例，在所述量子點發光層和所述陰極之間還設置有電子傳輸層。

根據本發明的另一個方面，還提供了一種用于制作量子點電致發光器件的方法，包括：

在基底上形成陽極；

在所述陽極上形成中性第一空穴注入層；

在所述第一空穴注入層上形成第二空穴注入層；

在所述第二空穴注入層上形成量子點發光層；

在所述量子點發光層上形成陰極。

根據本發明的一個實施例，還包括在形成所述量子點發光層之前，在所述第二空穴注入層上形成空穴傳輸層。

根據本發明的一個實施例，還包括在形成所述陰極之前，在所述量子點發光層上形成電子傳輸層。

本發明的有益效果：

本發明通過設計雙層空穴注入結構，可以防止陽極ITO直接與酸性PEDOT：PSS接觸而被腐蝕。同時，本發明還可以調控陽極空穴注入濃度，既可以提高器件的穩定性和壽命，又可以解決器件在高電流下效率滾降較快的問題。

本發明的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是現有技術中一種量子點電致發光器件的結構示意圖；

圖2是根據本發明的一個實施例的量子點電致發光器件的結構示意圖；

圖3是根據本發明的一個實施例的用于制作量子點電致發光器件的流程圖。

具體實施方式