[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710102089.6
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN108010957A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 周洛龍;鄭永均;樸正熙;李鐘錫;千大煥
• 申請（專利權）人: 現代自動車株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體器件，包括：

電流施加區；和

布置在電流施加區的端部的端接區，

其中所述端接區包括：

布置在n+型碳化硅襯底的第一表面上的n-型層；

布置在n-型層中的p型端接結構；和

布置在p型端接結構上，以致與p型端接結構重疊的下柵極流道。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述端接區還包括與下柵極流道接觸的上柵極流道。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中：

布置在鄰近于端接區的第二溝槽的側面中的p型區延伸到端接區，并與p型端接結構隔開。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中：

p型端接結構包括多個區域，

所述多個區域彼此隔開。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中：

電流施加區和端接區包括布置在n+型碳化硅襯底的第二表面中的漏電極。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中：

電流施加區還包括：

布置在n+型碳化硅襯底的第一表面上的n-型層；和

布置在n-型層之上，并且彼此絕緣的柵電極和源電極。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中：

柵電極和下柵極流道包括相同的材料。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中：

源電極和上柵極流道包括相同的材料。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：

電流施加區還包括：

布置在n-型層中的第一溝槽；

布置在第一溝槽的側面中的p型區；和

布置在第一溝槽的側面中，并且布置在所述p型區內的n+型區，

柵電極被布置在第一溝槽內，

源電極被布置在n+型區上，柵電極上，和p型區上。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中：

電流施加區還包括布置在p型區內，并且布置在n+型區的側面中的p+型區。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：

電流施加區還包括：

包括布置在n-型層中，并且彼此隔開的第一溝槽和第二溝槽的溝槽；

布置在第二溝槽的下部和兩個側面中的p型區；和

布置在p型區及n-型層上的n+型區，

柵電極被布置在第一溝槽內，

源電極被布置在n+型區上，柵電極上，和第二溝槽內。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中：

電流施加區還包括布置在第二溝槽的下表面與p型區之間的p+型區。

13.根據權利要求5所述的半導體器件，其中：

電流施加區還包括：

布置在n+型碳化硅襯底的第一表面上的n-型層；

布置在所述n-型層內，并且彼此隔開的多個p型區；和

布置在n-型層上和p型區上的源電極。