[發明專利]一種形成半導體存儲裝置的方法

有效

• 申請號: 201710099769.7
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN108470710B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 張峰溢;鄒世芳;童宇誠;李甫哲;郭明峰
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種形成半導體存儲結構的方法，包含：

提供一基底，其中一淺溝槽隔離形成于該基底而定義出多個主動區；

進行一第一蝕刻工藝，以形成一位線接觸開口，其中該位線接觸開口是對應該多個主動區中的其中一個，該位線接觸開口暴露該個主動區以及該個主動區周圍的該淺溝槽隔離；

進行一第二蝕刻工藝，移除該位線接觸開口中部分的該淺溝槽隔離，使位于該位線接觸開口中該主動區的一頂面，高于位于該位線接觸開口中該淺溝槽隔離的一頂面；以及

在該基底上形成一位線結構，其中該位線結構部分設置于該位線接觸開口中且與該位線接觸開口對應的該主動區接觸。

2.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中在該第二蝕刻工藝中，還移除了該位線接觸開口中的該主動區上的硅殘渣(Siresidue)。

3.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中該位線結構具有一側壁，該側壁延伸的深度與該位線接觸開口中該淺溝槽隔離的底面深度相同。

4.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，還包含：

形成一半導體層在該基底上；

形成一低電阻層在該半導體層上；以及

圖案化該半導體層以及該低電阻層。

5.如權利要求4所述的形成半導體存儲結構的方法，其中先形成該位線接觸開口，再形成該半導體層。

6.如權利要求4所述的形成半導體存儲結構的方法，其中先形成該半導體層，再形成該位線接觸開口。

7.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，在形成該位線接觸開口前，還包含形成一圖案化掩模層，且該第一蝕刻工藝是以該圖案化掩模層為掩模。

8.如權利要求7所述的形成半導體存儲結構的方法，該第二蝕刻工藝移除了位于該圖案化掩模層下方的該淺溝槽隔離，使該位線接觸開口的一側壁位于該圖案化掩模層下方。

9.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中該第二蝕刻工藝包含使用氫氟酸的蒸汽。

10.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中該第二蝕刻工藝包含使用含有氫氟酸的蝕刻液。

11.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中該第二蝕刻工藝包含使用含有氨氣(NH₃)或三氟化氮(NF₃)的等離子。

12.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中該第一蝕刻工藝包含使用四氟化碳(CF₄)、三氟甲烷(CHF₃)、氯氣(Cl₂)、六氟化硫(SF₆)、八氟環丁烷(C₄F₈)或六氟丁二烯(C₄F₆)的蝕刻氣體。

13.如權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中在進行完該第一蝕刻制作工藝后，位于該位線接觸開口中該主動區的該頂面與位于該位線接觸開口中該淺溝槽隔離的該頂面具有一高度差H₁，在進行完該第二蝕刻制作工藝后，位于該位線接觸開口中該主動區的該頂面與位于該位線接觸開口中該淺溝槽隔離的該頂面具有一高度差H₂，且H₂大于H₁。