[發明專利]一種通過MOSFET控制結終端集成體二極管的RC-IGBT器件

有效

• 申請號: 201710099683.4
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN106847891B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 陳偉中;郭喬;賀利軍;黃義
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/739
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 廖曦

1.一種通過MOSFET控制結終端集成體二極管的RC-IGBT器件，其特征在于：包括從上至下設置的陰極層、N-漂移區(6)、N緩沖層(7)和集電區，所述集電區包括同層設置的N集電區(8)和P集電區(9)，所述陰極層內間隔設置有若干多晶硅柵電極(2)，相鄰兩個多晶硅柵電極間形成有源發射極(4)，每個多晶硅柵電極被SiO₂柵氧化層(3)包圍；每個有源發射極的下方設置有一個P-body區(5)，P-body區(5)位于N-漂移區(6)的頂部，P-body區(5)內設置有與有源發射極連接的N+有源區(1)；RC-IGBT從左到右依次分為有源區、過渡區和結終端區，所述結終端區的底層完全由N集電區(8)構成；

所述過渡區的等位環(10)內設置有MOSFET，MOSFET的源極(11)和漏極(12)位于過渡區的等位環(10)內，MOSFET管的柵極(13)位于SiO₂柵氧化層(3)內；MOSFET的源極(11)與結終端區的金屬相連，漏極(12)與有源區的陰極金屬相連，柵極(13)與漏極(12)以及有源區的陰極金屬相連，源極與漏極之間的溝道開通與關斷狀態通過MOSFET柵極(13)控制。

2.根據權利要求1所述的一種通過MOSFET控制結終端集成體二極管的RC-IGBT器件，其特征在于：所述結終端區內的陰極層內間隔設置有若干SiO₂場氧化層(15)，相鄰兩個SiO₂場氧化層連接一個場限位環P-ring(14)，場限位環P-ring位于N-漂移區內，場限位環P-ring與RC-IGBT內部集成的體二極管的陽極連接，RC-IGBT內部集成的體二極管的陰極與N集電區連接。