[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710098499.8
• 申請(qǐng)日: 2017-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN108470717B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底，依次設(shè)置在所述襯底上的遮光層、緩沖層、氧化物有源層、柵絕緣層、第一電極層、鈍化層和第二電極層；

柵線與所述遮光層同層設(shè)置；所述氧化物有源層在所述襯底上的正投影被所述遮光層在所述襯底上的正投影覆蓋；

所述緩沖層包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；所述第一過(guò)孔露出所述柵線，所述第二過(guò)孔露出所述遮光層；

所述第一電極層包括柵極、源極、漏極、與所述源極連接的數(shù)據(jù)線和第一連接電極；所述第一連接電極與所述柵極、所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線均絕緣，且所述第一連接電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述柵線電連接；所述源極和所述漏極與所述氧化物有源層直接接觸，且所述源極還通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述遮光層電連接；

所述鈍化層包括第三過(guò)孔和第四過(guò)孔；所述第三過(guò)孔露出所述第一連接電極，所述第四過(guò)孔露出所述柵極；

所述第二電極層包括透明導(dǎo)電電極和第二連接電極，所述第二連接電極通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述第一連接電極電連接，通過(guò)所述第四過(guò)孔與所述柵極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電電極為像素電極，或公共電極，或陽(yáng)極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物有源層與所述源極和所述漏極接觸的部分被導(dǎo)體化。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物有源層未被所述柵絕緣層和所述柵極覆蓋的部分被導(dǎo)體化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層的材料包括純銅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物有源層的材料包括氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化鎵鋅中的至少一種。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成金屬導(dǎo)電材料的遮光層、柵線；

在形成有所述遮光層、所述柵線的襯底上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成緩沖層，所述緩沖層包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；所述第一過(guò)孔露出所述柵線，所述第二過(guò)孔露出所述遮光層；

在所述遮光層上方通過(guò)構(gòu)圖工藝形成氧化物有源層和柵絕緣層；

在形成有所述氧化物有源層和所述柵絕緣層的襯底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一電極層，所述第一電極層包括柵極、源極、漏極、與所述源極連接的數(shù)據(jù)線和第一連接電極；所述第一連接電極與所述柵極、所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線均絕緣，且所述第一連接電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述柵線電連接；所述源極和所述漏極與所述氧化物有源層直接接觸，且所述源極還通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述遮光層電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在形成所述第一電極層之后，所述制備方法還包括：依次形成鈍化層和第二電極層；

所述鈍化層包括第三過(guò)孔和第四過(guò)孔；所述第三過(guò)孔露出所述第一連接電極，所述第四過(guò)孔露出所述柵極；

所述第二電極層包括透明導(dǎo)電電極和第二連接電極，所述第二連接電極通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述第一連接電極電連接，通過(guò)所述第四過(guò)孔與所述柵極電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電電極為像素電極，或公共電極，或陽(yáng)極。