[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710098499.8
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN108470717B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 劉威
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，涉及顯示技術領域，可降低制作陣列基板過程中的不良發生率。該陣列基板的制備方法包括在襯底上，通過一次構圖工藝形成金屬導電材料的遮光層、柵線；通過一次構圖工藝形成緩沖層，緩沖層包括第一過孔和第二過孔；第一過孔露出柵線，第二過孔露出遮光層；通過一次構圖工藝形成氧化物有源層和柵絕緣層；通過一次構圖工藝形成第一電極層，所述第一電極層包括柵極、源極、漏極、數據線和第一連接電極；第一連接電極與柵極、源極、漏極和數據線均絕緣，且第一連接電極通過第一過孔與柵線電連接；源極和漏極與氧化物有源層直接接觸，且源極還通過第二過孔與遮光層電連接。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

頂柵結構型氧化物薄膜晶體管與常規的背溝道刻蝕型(BCE)和刻蝕阻擋型(ESL)薄膜晶體管相比具體如下優點：顯著降低了寄生電容，更有利于實現了良好的驅動效果；能夠減小制作尺寸，更有利于實現高分辨率的顯示需求；可以減薄柵極絕緣層的厚度，有利于進一步減薄整體的制作厚度；可以實現更穩定的薄膜晶體管電學特性，從而提高顯示面板的信賴性。

然而，采用頂柵結構型氧化物薄膜晶體管結構在背板的設計及工藝要求上還有很多限制，例如頂柵結構溝道區易受到下方光照影響，從而劣化薄膜晶體管的電學特性，因此需要加遮光層。另外，為了提高頂柵結構型氧化物薄膜晶體管的電學性能，通常要將頂柵與用于遮光層的金屬都加載電壓，形成類似上下雙溝道的結構，這就帶來了更復雜的刻孔工藝，加大了背板發生不良的危險，提高了整體工藝流程的難度。

現有技術中，一般采用6次構圖工藝來制備頂柵結構型氧化物薄膜晶體管背板，具體包括如下步驟：

S10、如圖1(a)所示，在襯底10上通過一次構圖工藝形成遮光層 11。

其中，遮光層11采用具有遮光效果的金屬導電材料制成。每一次構圖工藝分別包括成膜、掩模、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。

S11、如圖1(b)所示，在S10的基礎上，形成緩沖層12。

S12、如圖1(c)所示，在S11的基礎上，通過一次構圖工藝形成氧化物有源層13。

S13、如圖1(d)所示，在S12的基礎上，通過一次構圖工藝形成柵絕緣層14和柵極15。

S14、如圖1(e)所示，在S13的基礎上，通過一次構圖工藝形成層間絕緣層16；所述層間絕緣16包括露出氧化物有源層13的第五過孔161和第六過孔162。

在此基礎上，為了提高薄膜晶體管的電學性能，在S14的過程，同步可在層間絕緣層16和緩沖層12上形成露出遮光層11的第七過孔163，以便后續形成的源極通過第七過孔163與遮光層11電連接，而向遮光層11提供電壓。

然而，由于需同時刻透層間絕緣層16和緩沖層12，導致刻蝕膜層較厚，孔較深，容易產生工藝上的不良，例如搭接斷線。

S15、如圖1(f)所示，在S14的基礎上，通過一次構圖工藝形成源極17和漏極18；源極17分別通過第五過孔161與氧化物有源層 13接觸，通過第七過孔163與遮光層11接觸；漏極18通過第六過孔162與氧化物有源層13接觸。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，可降低制作陣列基板過程中的不良發生率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：