[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于真空腔室磁控濺射的裝置的使用方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710098439.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106868465B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王長(zhǎng)梗;關(guān)江敏 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京創(chuàng)世威納科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/35 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京尚德技研知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11378 | 代理人: | 陳曉平 |
| 地址: | 100085 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 空腔 磁控濺射 裝置 | ||
一種用于真空腔室磁控濺射的裝置,其包括軸線(xiàn)重合的順序連接的可旋轉(zhuǎn)的第一大齒輪、可旋轉(zhuǎn)的公轉(zhuǎn)支撐盤(pán)和可旋轉(zhuǎn)的遮擋盤(pán),所述公轉(zhuǎn)支撐盤(pán)沿周向均布有多個(gè)可旋轉(zhuǎn)的自轉(zhuǎn)樣片盤(pán),所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)的軸線(xiàn)在以所述公轉(zhuǎn)支撐盤(pán)的軸線(xiàn)為中心的一個(gè)圓周上,所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)設(shè)置有與所述第一大齒輪嚙合的自轉(zhuǎn)齒輪,所述遮擋盤(pán)在所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)上方,所述遮擋盤(pán)設(shè)置有至少一個(gè)加工口,所述加工口設(shè)置在所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)的軸線(xiàn)所在的圓周上方,所述加工口的面積大于所述圓形樣片的面積。本發(fā)明提供的一種用于真空腔室磁控濺射的裝置的使用方法,可以一次放入多個(gè)樣品,做多次不同工藝參數(shù)的實(shí)驗(yàn),從而大大提高實(shí)驗(yàn)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及真空磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于真空腔室磁控濺射的裝置及其使用方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體、微電子行業(yè),通常需要采用真空等離子體技術(shù)用圓形磁控靶對(duì)圓形樣品進(jìn)行濺射,從而進(jìn)行小批量生產(chǎn)已驗(yàn)證各種設(shè)計(jì)。目前市場(chǎng)上的用于圓形樣品小批量生產(chǎn)的設(shè)備通常是在真空腔室中的圓形磁控靶下方采用齒輪結(jié)構(gòu)設(shè)置多個(gè)可自轉(zhuǎn)+公轉(zhuǎn)的圓臺(tái),從而可將圓形樣品放置在圓臺(tái)上在各個(gè)磁控靶下方自轉(zhuǎn)完成濺射加工。在實(shí)際應(yīng)用中,在進(jìn)行一爐多片生產(chǎn)前,都要進(jìn)行工藝摸索,經(jīng)過(guò)多次的工藝摸索與工藝調(diào)整,才能找到最佳的工藝參數(shù),在摸索工藝時(shí)為了避免浪費(fèi),一次只做一個(gè)樣片。自轉(zhuǎn)+公轉(zhuǎn)時(shí)可以獲得最好的均勻性,但做一片樣品時(shí)如果采用自轉(zhuǎn)+公轉(zhuǎn)模式,樣品就會(huì)自轉(zhuǎn)同時(shí)經(jīng)過(guò)公轉(zhuǎn)移動(dòng)到其他位置,經(jīng)過(guò)一周才會(huì)回到特定的磁控靶下方再次進(jìn)行濺射,浪費(fèi)了絕大數(shù)濺射時(shí)間,很不經(jīng)濟(jì),如果把自轉(zhuǎn)+公轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)作為樣品換位機(jī)構(gòu),只是把樣品換位到某個(gè)濺射靶下方進(jìn)行定點(diǎn)的濺射,在濺射過(guò)程中就沒(méi)有進(jìn)行自轉(zhuǎn),均勻性會(huì)下降10%-20%,因此濺射質(zhì)量就難以保障。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于真空腔室磁控濺射的裝置及其使用方法,以減少或避免前面所提到的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種用于真空腔室磁控濺射的裝置,所述真空腔室設(shè)置有至少一個(gè)圓形磁控靶,其安裝在所述圓形磁控靶下方,其包括軸線(xiàn)重合的順序連接的可旋轉(zhuǎn)的第一大齒輪、可旋轉(zhuǎn)的公轉(zhuǎn)支撐盤(pán)和可旋轉(zhuǎn)的遮擋盤(pán),所述公轉(zhuǎn)支撐盤(pán)沿周向均布有多個(gè)可旋轉(zhuǎn)的自轉(zhuǎn)樣片盤(pán),所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)的軸線(xiàn)在以所述公轉(zhuǎn)支撐盤(pán)的軸線(xiàn)為中心的一個(gè)圓周上,所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)設(shè)置有與所述第一大齒輪嚙合的自轉(zhuǎn)齒輪,所述遮擋盤(pán)在所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)上方,所述遮擋盤(pán)設(shè)置有至少一個(gè)加工口,所述加工口設(shè)置在所述自轉(zhuǎn)樣片盤(pán)的軸線(xiàn)所在的圓周上方,所述加工口的面積大于所述圓形樣片的面積。
優(yōu)選地,所述加工口是圓形或者開(kāi)口的凹形。
優(yōu)選地,所述遮擋盤(pán)設(shè)置有鎧裝加熱器或者石英紅外加熱器。
優(yōu)選地,所述遮擋盤(pán)包括一個(gè)殼體、設(shè)置在所述殼體內(nèi)的多個(gè)加熱模塊以及一個(gè)蓋板。
優(yōu)選地,所述第一大齒輪、所述公轉(zhuǎn)支撐盤(pán)和所述遮擋盤(pán)是由三個(gè)順序環(huán)繞的分別連接有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)設(shè)備的驅(qū)動(dòng)軸來(lái)驅(qū)動(dòng),所述驅(qū)動(dòng)設(shè)備是可編程的步進(jìn)電機(jī)。
本發(fā)明所提供的一種用于真空腔室磁控濺射的裝置,可以一次放入多個(gè)樣品,做多次不同工藝參數(shù)的實(shí)驗(yàn),從而大大提高實(shí)驗(yàn)效率。
附圖說(shuō)明
以下附圖僅旨在于對(duì)本發(fā)明做示意性說(shuō)明和解釋?zhuān)⒉幌薅ū景l(fā)明的范圍。其中,
圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的一種用于真空腔室磁控濺射的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1的遮擋盤(pán)的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解,現(xiàn)對(duì)照附圖說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。其中,相同的部件采用相同的標(biāo)號(hào)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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