[發明專利]一種用于真空腔室磁控濺射的裝置的使用方法有效
| 申請號: | 201710098439.6 | 申請日: | 2017-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN106868465B | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發明(設計)人: | 王長梗;關江敏 | 申請(專利權)人: | 北京創世威納科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京尚德技研知識產權代理事務所(普通合伙) 11378 | 代理人: | 陳曉平 |
| 地址: | 100085 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 空腔 磁控濺射 裝置 | ||
1.一種用于真空腔室磁控濺射的裝置的使用方法,其特征在于,所述真空腔室設置有至少一個圓形磁控靶,所述裝置安裝在所述圓形磁控靶下方,所述裝置包括軸線重合的順序連接的可旋轉的第一大齒輪、可旋轉的公轉支撐盤和可旋轉的遮擋盤,所述第一大齒輪、所述公轉支撐盤和所述遮擋盤是由三個順序環繞的分別連接有獨立的驅動設備的驅動軸來驅動,所述公轉支撐盤沿周向均布有多個可旋轉的自轉樣片盤,所述自轉樣片盤的軸線在以所述公轉支撐盤的軸線為中心的一個圓周上,所述自轉樣片盤設置有與所述第一大齒輪嚙合的自轉齒輪,所述遮擋盤在所述自轉樣片盤上方,所述遮擋盤設置有至少一個加工口,所述加工口設置在所述自轉樣片盤的軸線所在的圓周上方,所述加工口的面積大于圓形樣片的面積,其包括如下步驟:
步驟A,在所述公轉支撐盤的每個所述自轉樣片盤上放置圓形樣片,
步驟B,對于用于進行特定工藝驗證的特定一塊所述圓形樣片,旋轉所述遮擋盤,使所述加工口位于放置該特定的所述圓形樣片的所述自轉樣片盤的正上方,然后同步旋轉所述遮擋盤和所述公轉支撐盤,使所述加工口以及特定的所述圓形樣片位于特定的圓形磁控靶正下方,開啟該圓形磁控靶,使所述遮擋盤和所述公轉支撐盤保持不動,之后旋轉所述第一大齒輪,通過所述第一大齒輪與所述自轉齒輪的嚙合,使得該圓形磁控靶下方的所述自轉樣片盤進行自轉,從而實現對該所述自轉樣片盤上特定的所述圓形樣片的濺射操作,
步驟C,當需要將一塊圓形樣片進行多次濺射時,或者對另一塊圓形樣片進行濺射操作時,只需重復步驟B,即可使特定圓形樣片與所述加工口同步移動到任意一只所述圓形磁控靶下進行濺射,或使得同一圓形樣片與所述加工口同步移動到不同的所述圓形磁控靶下進行多次濺射形成多層薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述加工口是圓形或者開口的凹形。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述遮擋盤設置有鎧裝加熱器或者石英紅外加熱器。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述遮擋盤包括一個殼體、設置在所述殼體內的多個加熱模塊以及一個蓋板。
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