[發明專利]一種陣列基板及AMOLED顯示裝置有效
| 申請號: | 201710097173.3 | 申請日: | 2017-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN106601782B | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發明(設計)人: | 陳彩琴 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 amoled 顯示裝置 | ||
本發明實施例公開了一種陣列基板,包括:基板;驅動芯片,其位于所述基板上;多數條數據線,其依次排列在所述基板上,并縱向延伸到與所述驅動芯片電連接;多數條高電平線;面金屬塊,其位于所述基板上并與多數條所述高電平線電連接,以使多數條所述高電平線處于同一高電平;其中,多數條所述數據線經過所述面金屬塊所在區域與所述驅動芯片電連接,所述面金屬塊與多數條所述數據線之間存在絕緣層,所述面金屬塊與所述數據線重疊的位置設有挖空區以減少所述面金屬塊與所述數據線形成的寄生電容。本發明實施例還公開了一種AMOLED顯示裝置。采用本發明,具有降低阻容延遲的影響、減輕元器件損壞的優點。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體地講,涉及一種陣列基板及AMOLED顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Display,OLED)顯示裝置具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。
OLED顯示裝置按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)顯示裝置和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)顯示裝置兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)矩陣尋址兩類。其中,AMOLED顯示裝置具有呈陣列式排布的像素,屬于主動顯示類型,發光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
AMOLED顯示裝置包括陣列基板,所述陣列基板包括基板,請參見圖1,所述基板上設有多數條掃描線SL’、多數條數據線DL’和多數條高電平線VL’,多數條所述掃描線SL’由所述基板的左側橫向延伸到右側,多數條所述數據線DL’由基板的上側縱向延伸到下側,多數條所述高電平線VL’也由基板的上側縱向延伸到下側,多數條所述高電平線VL’的下端電連接有面金屬塊110,所述面金屬塊110電連接到基板下側的驅動芯片120,多數條所述數據線DL’經過面金屬塊110也電連接到驅動芯片120,多數條所述數據線DL’與所述金屬塊層疊設置,例如所述面金屬塊110位于所述數據線DL’的上方,或者所述面金屬塊110位于所述數據線DL’的下方,所述面金屬塊110與多數條所述數據線DL’分別在基板上不同的層級,兩者之間通過絕緣層隔開。
在使用上述AMOLED顯示裝置的過程中本發明的發明人發現,由于多數條所述數據線DL’經由面金屬塊110電連接到驅動電路,所述面金屬塊110與所述數據線DL’之間存在絕緣層,從而形成寄生電容,該寄生電容會對所述數據線DL’上信號的傳遞產生阻容延遲(RCDelay)的影響;而且,由于面金屬塊110面積比較大,在陣列基板的制造過程中會積累大量靜電,靜電釋放(ESD)會造成AMOLED顯示裝置的元器件損壞。
發明內容
本發明實施例所要解決的技術問題在于,提供一種陣列基板及AMOLED顯示裝置。可提降低阻容延遲的影響,并可減輕靜電釋放對元器件的損壞。
為了解決上述技術問題,本發明第一方面提供了一種陣列基板,包括:
基板;
驅動芯片,其位于所述基板上;
多數條數據線,其依次排列在所述基板上,并縱向延伸到與所述驅動芯片電連接;
多數條高電平線,其依次排列在所述基板上,并在所述基板上縱向延伸;
面金屬塊,其位于所述基板上并與多數條所述高電平線電連接,以使多數條所述高電平線處于同一高電平;其中,
多數條所述數據線經過所述面金屬塊所在區域與所述驅動芯片電連接,所述面金屬塊與多數條所述數據線之間存在絕緣層,所述面金屬塊與所述數據線重疊的位置設有挖空區以減少所述面金屬塊與所述數據線形成的寄生電容。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





