[發(fā)明專利]一種陣列基板及AMOLED顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710097173.3
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN106601782B
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設計）人: 陳彩琴
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種陣列基板，應用于AMOLED顯示裝置，其特征在于，包括：

基板；

驅動芯片，其位于所述基板上；

多數條數據線，其依次排列在所述基板上，并縱向延伸到與所述驅動芯片電連接；

多數條高電平線，其依次排列在所述基板上，并在所述基板上縱向延伸；

面金屬塊，其位于所述基板的非顯示區(qū)上并與多數條所述高電平線電連接，以使多數條所述高電平線處于同一高電平；其中，多數條所述數據線經過所述面金屬塊所在區(qū)域與所述驅動芯片電連接，所述面金屬塊與多數條所述數據線之間存在絕緣層，所述面金屬塊與所述數據線重疊的位置設有挖空區(qū)以減少所述面金屬塊與所述數據線形成的寄生電容。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述挖空區(qū)為降容狹縫。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述降容狹縫的數目為多條，多條所述降容狹縫包括第一類降容狹縫，所述第一類降容狹縫中的每一條分別對應一條所述數據線設置；

或者多條所述降容狹縫包括第二類降容狹縫，所述第二類降容狹縫中的至少兩條對應同一條所述數據線設置；

或者多條所述降容狹縫包括第一類降容狹縫和第二類降容狹縫，所述第一類降容狹縫中的每一條分別對應一條所述數據線設置，所述第二類降容狹縫中的至少兩條對應同一條所述數據線設置。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述降容狹縫的寬度大于或等于對應所述數據線的寬度，所述降容狹縫遮蓋住對應的所述數據線。

5.如權利要求2-4任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述面金屬塊上還設有降靜電狹縫，所述降靜電狹縫位于多數條所述數據線以外的區(qū)域。

6.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述挖空區(qū)為開口，所述開口跨過至少兩條所述數據線。

7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述挖空區(qū)的面積與未設置所述挖空區(qū)的所述面金屬塊面積的比值范圍為3/4-1/6。

8.如權利要求1-4、6、7任意一項所述的陣列基板，其特征在于，多數條所述數據線由所述基板的上側延伸到所述基板的下側，多數條所述數據線包括豎直部、扇形部和連接部，所述面金屬塊與多數條所述數據線的所述扇形部重疊。

9.如權利要求1-4、6、7任意一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括多數條掃描線，多數條所述掃描線沿橫向方向延伸，多數條所述掃描線與多數條所述數據線交叉限定出多數個像素單元，每個所述像素單元內設有第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、有機發(fā)光二極管和所述電容，所述第一薄膜晶體管位于所述掃描線與所述數據線的交叉處，所述第一薄膜晶體管的柵極電連接所述掃描線，所述第一薄膜晶體管的輸入端電連接所述數據線，所述第一薄膜晶體管的輸出端電連接所述第二薄膜晶體管的柵極和所述電容的一端，所述第二薄膜晶體管的輸入端和所述電容的另一端電連接所述高電平線，所述第二薄膜晶體管的輸出端電連接所述有機發(fā)光二極管的陽極或者陰極。

10.一種AMOLED顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-9任意一項所述的陣列基板。