[發明專利]存儲器件

有效

• 申請號: 201710096969.7
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN107104183B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 鄭智賢;高寬協;姜大煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供一種存儲器件。該存儲器件包括：第一電極線層，包括在第一方向上在基板上延伸并彼此間隔開的多個第一電極線；第二電極線層，包括在第二方向上在第一電極線層上延伸并彼此間隔開的多個第二電極線，該第二方向不同于第一方向；以及存儲單元層，包括位于多個第一電極線和多個第二電極線之間的多個交叉點處的多個第一存儲單元，每個第一存儲單元包括順序地堆疊的選擇器件層、中間電極和可變電阻層。可變電阻層的側表面垂直于基板的頂表面或被傾斜以朝向可變電阻層的上部逐漸更寬。第一存儲單元具有側表面斜坡從而具有朝向其上部逐漸減小的寬度。

技術領域

所公開的構思涉及一種存儲器件及其制造方法，更具體地，涉及具有堆疊的交叉點陣列結構的存儲器件及其制造方法。

背景技術

由于存在增長的趨勢使電子產品重量輕、薄且小尺寸，所以對高度集成的半導體器件的需求已經增長。此外，已經提出具有堆疊的交叉點陣列結構的存儲器件，其中存儲單元位于彼此相交的兩個電極之間的交叉點處。然而，由于對具有堆疊的交叉點陣列結構的存儲器件的按比例縮小(downscaling)的增大的需求，需要減小存儲器件中包括的所有的層的尺寸。然而，由于減小存儲器件的尺寸，在制造存儲器件的工藝期間會產生各種缺陷，從而使存儲器件的可靠性劣化并降低批量生產率。

發明內容

所公開的構思提供一種通過最小化可變電阻層的蝕刻損壞并抑制未對準而具有改善的可靠性的存儲器件以及制造該存儲器件的方法。

根據一些方面，本公開指向一種存儲器件，該存儲器件包括：第一電極線層，包括在基板上在第一方向上延伸并彼此間隔開的多個第一電極線；第二電極線層，包括形成在第一電極線層上并在第二方向上延伸且彼此間隔開的多個第二電極線，該第二方向不同于第一方向；以及存儲單元層，包括位于所述多個第一電極線和所述多個第二電極線的交叉點處的多個第一存儲單元，每個第一存儲單元包括順序地堆疊的選擇器件、中間電極和可變電阻層，其中可變電阻層的側表面垂直于基板的頂表面或傾斜以朝向可變電阻層的上部逐漸更寬，并且其中所述多個第一存儲單元的每個具有側表面斜坡使得所述多個第一存儲單元的每個的寬度朝向其上部逐漸減小。

根據另一些方面，本公開指向一種存儲器件，該存儲器件包括：基板；第一電極線層，包括在基板上在第一方向上延伸并彼此間隔開的多個第一電極線；第二電極線層，包括在第二方向上在第一電極線層上延伸且彼此間隔開的多個第二電極線，該第二方向不同于第一方向；集成電路層，形成在基板上并設置在第一電極線層下面；以及存儲單元層，包括位于多個第一電極線和多個第二電極線的交叉點處的多個第一存儲單元，其中每個第一存儲單元包括順序地堆疊的選擇器件、中間電極和可變電阻層，其中可變電阻層的側表面垂直于基板的頂表面或傾斜使得可變電阻層朝向可變電阻層的上部逐漸變寬，并且其中每個第一存儲單元具有側表面和朝向第一存儲單元的上部逐漸減小的寬度，該側表面具有側表面斜坡。

根據另一些方面，本公開指向一種存儲器件，該存儲器件包括：基板；第一電極線層，包括在基板上在第一方向上延伸的多個第一電極線；第二電極線層，包括在第二方向上在第一電極線層上延伸的多個第二電極線，該第二方向不同于第一方向；集成電路層，形成在基板上并設置在第一電極線層下面；存儲單元層，包括位于多個第一電極線和多個第二電極線的交叉點處的多個第一存儲單元；以及第一絕緣層，在第一方向上延伸并設置在多個第一電極線之間，其中每個第一存儲單元包括順序地堆疊的選擇器件、中間電極和可變電阻層，其中可變電阻層的側表面垂直于基板的頂表面或傾斜使得可變電阻層朝向可變電阻層的上部逐漸變寬，并且其中每個第一存儲單元具有側表面和朝向第一存儲單元的上部逐漸減小的寬度。

附圖說明

從以下結合附圖的詳細描述，所公開的實施方式將被更清楚地理解，附圖中：

圖1是根據示范性實施方式的存儲器件的電路圖；

圖2是根據示范性實施方式的存儲器件的透視圖；

圖3是沿圖2的線X-X'和Y-Y'截取的截面圖；