[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710096969.7
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN107104183B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭智賢;高寬協(xié);姜大煥
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種存儲(chǔ)器件，包括：

第一電極線層，包括在基板上在第一方向上延伸并彼此間隔開的多個(gè)第一電極線；

第二電極線層，包括形成在所述第一電極線層上并在第二方向上延伸且彼此間隔開的多個(gè)第二電極線，該第二方向不同于所述第一方向；以及

存儲(chǔ)單元層，包括位于所述多個(gè)第一電極線和所述多個(gè)第二電極線的交叉點(diǎn)處的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元，每個(gè)第一存儲(chǔ)單元包括順序地堆疊的選擇器件、中間電極和可變電阻層，

其中所述可變電阻層的側(cè)表面垂直于所述基板的頂表面或傾斜使得所述可變電阻層朝向所述可變電阻層的上部逐漸更寬，并且

其中所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元的每個(gè)具有側(cè)表面斜坡使得所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元的每個(gè)的寬度朝向其上部逐漸減小。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)所述第一存儲(chǔ)單元包括圍繞所述可變電阻層的所述側(cè)表面的間隔物，其中所述間隔物的外側(cè)表面構(gòu)成所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元的所述側(cè)表面斜坡的一部分。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器件，其中所述間隔物具有朝向其上部逐漸減小的寬度。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

第一絕緣層，在所述第一方向上延伸并設(shè)置在所述多個(gè)第一電極線之間；和

第二絕緣層，設(shè)置在所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間，

其中所述第一電極線具有在所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間形成在其上部中并沿著所述第一方向設(shè)置的第一凹陷，并且

其中所述第一絕緣層具有在所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間形成在其上部中并沿著所述第二方向設(shè)置的第二凹陷。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

第一絕緣層，設(shè)置在所述多個(gè)第一電極線之間以及在所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間，

其中所述第一絕緣層的設(shè)置在所述第一電極線之間的部分在所述第一方向上延伸。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中所述中間電極包括與所述可變電阻層的底表面接觸的加熱電極，其中所述加熱電極包括導(dǎo)電材料。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器件，其中所述中間電極包括設(shè)置在所述加熱電極下面并配置為抑制熱傳遞的至少一個(gè)熱阻擋層，其中所述中間電極具有用所述至少一個(gè)熱阻擋層和導(dǎo)電材料層交替地堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)所述第一存儲(chǔ)單元包括與所述多個(gè)第二電極線接觸并形成在所述可變電阻層上的頂電極層。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)所述第一存儲(chǔ)單元包括圍繞所述可變電阻層的側(cè)表面和所述頂電極層的側(cè)表面的間隔物或圍繞所述頂電極層的側(cè)表面的間隔物。

10.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件，其中所述頂電極層在所述第二方向上延伸，并接觸所述多個(gè)第二電極線的底表面或圍繞所述多個(gè)第二電極線的所述底表面和側(cè)表面。

11.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中所述可變電阻層的底表面的水平橫截面面積小于所述中間電極層的頂表面的水平橫截面面積，其中所述中間電極層的與所述可變電阻層接觸的頂部被凹陷。

12.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中所述可變電阻層包括GeSbTe、InSbTe和BiSbTe中的至少一種，或具有通過交替地且重復(fù)地堆疊GeTe層和SbTe層形成的超晶格結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中所述選擇器件形成為雙向閾值開關(guān)器件、二極管和晶體管中的至少一個(gè)。

14.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中所述選擇器件形成為雙向閾值開關(guān)器件，所述雙向閾值開關(guān)器件在砷的基礎(chǔ)上包括硅、鍺、銻、碲、硒、銦和錫中的至少兩種，或在硒的基礎(chǔ)上包括硅、鍺、銻、碲、砷、銦和錫中的至少兩種。