[發明專利]一種稀土永磁納米顆粒的制備方法

在審

• 申請號: 201710093335.6
• 申請日: 2017-02-21
• 公開（公告）號: CN106935349A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 丁健忠;那迪姆;夏衛星;杜娟;劉平;閆阿儒;張健
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01F1/055
• 分類號: H01F1/055;H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司11327
• 代理人: 單英

1.一種稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：包括以下步驟：

(1)將高純稀土金屬元素與過渡族金屬元素熔煉為稀土永磁塊體材料；

(2)以步驟(1)制得的稀土永磁塊體材料為靶材，采用納米團簇沉積裝置，在基片表面沉積稀土永磁納米顆粒；

(3)在經步驟(2)沉積的稀土永磁納米顆粒表面沉積抗氧化覆蓋層。

2.如權利要求1所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的稀土永磁材料包括稀土鐵系永磁合金材料與稀土鈷系永磁合金材料。

3.如權利要求2所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的稀土鐵系永磁合金材料包括由Nd-Fe-B元素構成的永磁材料以及包含其他摻雜元素的Nd-Fe-B永磁材料；所述的稀土鈷系永磁合金材料包括由Sm-Co元素構成的永磁材料以及包含其他摻雜元素的Sm-Co永磁材料。

4.如權利要求1、2或3所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的納米團簇沉積裝置包括團簇源、冷凝聚集腔與沉積腔；團簇源利用磁控濺射或者弧光放電使靶材產生高密度原子氣，在冷凝聚集腔中原子氣經惰性氣體冷卻聚集，形成納米團簇，該納米團簇沉積在位于沉積腔中的基片表面。

5.如權利要求1所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的步驟(2)中，稀土永磁納米顆粒的沉積過程如下：

(1)調整靶材與團簇源的位置，將基片放入沉積腔中，抽真空至沉積腔真空度至10-8mbar以上；

(2)設置惰性氣體的流速，打開冷凝聚集腔的冷凝介質開關，設置團簇源功率，利用惰性氣體轟擊靶材產生高密度原子氣，在冷凝聚集腔中原子氣經惰性氣體冷卻聚集，形成納米團簇，該納米團簇沉積在位于沉積腔中的基片表面。

6.如權利要求4所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的納米團簇沉積裝置還包括石英振蕩器，設置在基片與納米團簇之間。

7.如權利要求6所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的步驟(2)如下：

設置惰性氣體的流速，打開冷凝聚集腔的冷凝介質開關，設置團簇源功率，利用惰性氣體轟擊靶材產生高密度原子氣，在冷凝聚集腔中原子氣經惰性氣體冷卻聚集，形成納米團簇，利用石英振蕩器測團簇束流的流速，然后抬起石英振蕩器，該納米團簇沉積在位于沉積腔中的基片表面，根據團簇束流的流速設置沉積時間。

8.如權利要求4所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的納米團簇沉積裝置還包括加熱腔，所述的納米團簇形成后經過該加熱腔加熱。

9.如權利要求4所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的納米團簇沉積裝置還包括包覆源，用于對納米團簇進行表面修飾。

10.如權利要求4所述的稀土永磁納米顆粒的制備方法，其特征是：所述的納米團簇沉積裝置還包括四極桿質量過濾器。