[發(fā)明專利]等離子體處理方法以及等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710091541.3
• 申請(qǐng)日: 2017-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN107204274B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 置田尚吾;針貝篤史;伊藤彰宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國(guó)華

一種等離子體處理方法以及等離子體處理裝置，在對(duì)保持在保持片的基板進(jìn)行等離子體處理時(shí)，提高產(chǎn)品的成品率。等離子體處理方法包括：載置工序，將保持了基板的保持片載置在設(shè)置于等離子體處理裝置的載置臺(tái)；以及固定工序，將保持片固定在所述載置臺(tái)。還包括：判定工序，在固定工序之后，判定所述保持片與所述載置臺(tái)的接觸狀態(tài)是否良好；以及等離子體蝕刻工序，在判定工序中判定為接觸狀態(tài)良好的情況下，在載置臺(tái)上使基板的表面暴露于等離子體，從而對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及對(duì)保持在保持片的基板進(jìn)行等離子體處理的方法以及裝置。

背景技術(shù)

作為切割基板的方法，已知有對(duì)形成了掩模的基板實(shí)施等離子體蝕刻而將其分割為單個(gè)芯片的等離子體切割。專利文獻(xiàn)1公開了如下內(nèi)容，即，為了提高傳送等時(shí)的基板的操作性，在將基板保持在具備框架和覆蓋框架的開口部的保持片的運(yùn)輸載體的狀態(tài)下，將其載置在等離子體處理裝置具備的載置臺(tái)，并進(jìn)行等離子體處理。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特表2014-513868號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

保持片的厚度小，易撓曲。因此，保持了基板的運(yùn)輸載體有時(shí)以保持片產(chǎn)生了褶皺的狀態(tài)載置到載置臺(tái)。當(dāng)在保持片殘留有褶皺的狀態(tài)下進(jìn)行等離子體處理時(shí)，會(huì)在褶皺的部分產(chǎn)生異常放電，或者使褶皺的部分的溫度上升，從而難以正常進(jìn)行等離子體處理。

近年來，電子設(shè)備在小型化和薄型化，搭載在電子設(shè)備的IC芯片等的厚度減小。與此相伴地，用于形成成為切割的對(duì)象的IC芯片等的基板的厚度也減小，與保持片同樣地，基板也變得易撓曲。在將這樣的易撓曲的基板粘接到易撓曲的保持片而進(jìn)行保持的情況下，如果在保持片產(chǎn)生褶皺，則在基板也容易產(chǎn)生褶皺。進(jìn)而，在框架存在哪怕一點(diǎn)形變的情況下，保持片和基板將變得更容易產(chǎn)生褶皺。

通常，將運(yùn)輸載體載置在載置臺(tái)，一邊通過被稱為靜電吸盤的靜電吸附機(jī)構(gòu)進(jìn)行接觸一邊進(jìn)行等離子體處理。靜電吸附機(jī)構(gòu)對(duì)配置在載置臺(tái)的內(nèi)部的靜電吸附(Electrostatic Chuck)用電極(以下，稱為ESC電極)施加電壓，并通過在ESC電極與保持片之間作用的庫(kù)倫(Coulomb)力、約翰遜-拉貝克(Johnsen-Rahbek)力使載置臺(tái)吸附保持片。此時(shí)，保持了基板的保持片有時(shí)會(huì)以產(chǎn)生了褶皺的狀態(tài)直接載置在載置臺(tái)。由于在保持片產(chǎn)生的褶皺，保持片以一部分從載置臺(tái)上浮的狀態(tài)壓附于載置臺(tái)。因此，隔著保持片的基板與載置臺(tái)的接觸變得不充分。

當(dāng)在隔著保持片的基板與載置臺(tái)的接觸不充分的狀態(tài)下進(jìn)行等離子體處理時(shí)，對(duì)基板的蝕刻會(huì)不均勻，會(huì)產(chǎn)生加工形狀的偏差、未處理部。進(jìn)而，存在產(chǎn)生基板的局部性的溫度上升或者產(chǎn)生異常放電的情況。由于該溫度上升、異常放電，基板、保持片有可能會(huì)破損，進(jìn)而ESC電極有可能會(huì)破損。其結(jié)果是，產(chǎn)品的成品率下降。

本公開涉及的發(fā)明的一個(gè)方面涉及等離子體處理方法，該方法包括以下的工序。即，包括：載置工序，將保持了基板的保持片載置在設(shè)置于等離子體處理裝置的載置臺(tái)；以及固定工序，將保持片固定在載置臺(tái)。還包括：判定工序，在固定工序之后，判定保持片與載置臺(tái)的接觸狀態(tài)是否良好；以及等離子體蝕刻工序，在判定工序中判定為接觸狀態(tài)良好的情況下，在載置臺(tái)上使基板的表面暴露于等離子體，從而對(duì)基板進(jìn)行蝕刻。

本公開涉及的發(fā)明的另一個(gè)方面涉及等離子體處理裝置，其具備：處理室；載置臺(tái)，設(shè)置在處理室，并載置保持了基板的保持片；固定機(jī)構(gòu)，將保持片固定在載置臺(tái)；高頻電源部，使處理室內(nèi)產(chǎn)生等離子體；以及判定部，判定保持片與所述載置臺(tái)的接觸狀態(tài)是否良好。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開涉及的發(fā)明，在確認(rèn)了隔著保持片的基板與載置臺(tái)的接觸的狀態(tài)之后執(zhí)行等離子體處理，因此可提高產(chǎn)品的成品率。

附圖說明