[發明專利]等離子體處理方法以及等離子體處理裝置有效
| 申請號： | 201710091541.3 | 申請日： | 2017-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN107204274B | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 置田尚吾;針貝篤史;伊藤彰宏 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李國華 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 方法 以及 裝置 | ||
1.一種等離子體處理方法，包括：
載置工序，將保持了基板的保持片載置在設置于等離子體處理裝置的載置臺；
固定工序，將所述保持片固定在所述載置臺；
判定工序，在所述固定工序之后，判定所述保持片與所述載置臺的接觸狀態是否良好；以及
等離子體蝕刻工序，在所述判定工序中判定為接觸狀態良好的情況下，在所述載置臺上使所述基板的表面暴露于等離子體，從而對所述基板進行蝕刻，
所述等離子體處理裝置具備判定用氣孔，所述判定用氣孔形成在所述載置臺的表面，并與氣體導入路徑連接，
在所述判定工序中，從所述判定用氣孔將氣體導入到所述載置臺與所述保持片之間，并基于所述氣體導入路徑中的所述氣體的壓力或所述壓力的控制信息進行所述接觸狀態的判定。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，所述等離子體處理裝置具備位移傳感器，所述位移傳感器測定載置在所述載置臺的所述基板的表面的高度，
在所述判定工序中，通過所述位移傳感器測定載置在所述載置臺的所述基板的表面的高度，并基于測定的所述基板的所述表面的高度進行所述接觸狀態的判定。
3.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，所述等離子體處理裝置具備溫度傳感器以及對所述載置臺進行冷卻的冷卻部，
在所述判定工序中，通過所述溫度傳感器測定載置在所述載置臺的所述基板的溫度，并基于測定的所述基板的所述溫度進行所述接觸狀態的判定。
4.一種等離子體處理裝置，具備：
處理室；
載置臺，其設置在所述處理室，并載置保持了基板的保持片；
固定機構，其將所述保持片固定在所述載置臺；
高頻電源部，其使所述處理室內產生等離子體；以及
判定部，其判定所述保持片與所述載置臺的接觸狀態是否良好，
所述等離子體處理裝置還具備：判定用氣孔，其設置在所述載置臺的表面，并與氣體導入路徑連接，
所述判定部基于從所述氣體導入路徑中的所述判定用氣孔導入到所述載置臺與所述保持片之間的氣體的壓力或所述壓力的控制信息進行所述接觸狀態的判定。
5.根據權利要求4所述的等離子體處理裝置，還具備：位移傳感器，其測定載置在所述載置臺的所述基板的表面的高度，
所述判定部基于由所述位移傳感器測定的載置在所述載置臺的所述基板的表面的高度進行所述接觸狀態的判定。
6.根據權利要求4所述的等離子體處理裝置，還具備：
冷卻部，其對所述載置臺進行冷卻；以及
溫度傳感器，
所述判定部基于由所述溫度傳感器測定的載置在所述載置臺的所述基板的溫度進行所述接觸狀態的判定。
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