[發明專利]電子器件襯底及其制造方法在審
| 申請號: | 201710090563.8 | 申請日: | 2017-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN107104093A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發明(設計)人: | C·斯吉亞羅維魯;M·米希茲;A·伍德 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/544 | 分類號: | H01L23/544;H01L23/12;H01L23/48;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子器件 襯底 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本公開涉及諸如例如集成電路芯片的半導體器件之類的電子器件的制造。
背景技術
當今,集成電路的傳感器可以要求利用當前的超大規模集成(ULSI)生產技術無法達到的精確水平。
傳統的解決方案在于一旦完成晶片制造則測量關于目標值的器件偏差、以及相應地經由額外處理補償偏差。取決于器件類型,當前使用不同的解決方案。例如,通過熔絲概念利用在晶片級下其最終電氣測試之后對產品電氣特性的精細微調而采用了數字編碼。對于另一示例,電流傳感器嵌入在許多IC中以確保在電路啟動或故障期間器件的恒定監控和保護。實施在此所公開教導的至少一些效果如下:提供對于傳統激光熔絲的替代方案,其使得能夠使用傳統激光熔絲無法被使用的熔絲,因此將工藝開放至更寬范圍的應用。在晶片處理期間,在此所公開的技術允許在晶片上提供芯片選擇性修改,由此在使用設計用于在相同晶片上制造多個非單獨芯片的光刻掩模的同時可以制造單獨芯片。
與后處理印刷結構的引入相關的至少一些效果可以如下:傳統的工藝技術可以容易地根據一些實施方式而適應或補充以便于不必使用激光工具而執行數字編碼。因此,可以避免通常與使用傳統激光器相關聯的諸如對準問題的負面影響。
在電子器件制造中,使用晶片制造電子器件。數個晶片可以形成具有批編號以唯一地識別晶片批次的晶片批次的一部分。晶片批次的晶片可以用于制造數個管芯。晶片可以具有晶片編號以唯一地識別批次的晶片。每個管芯可以形成對于一個電子器件的基礎,例如用于提供一個半導體芯片。管芯每一個可以具有識別編號,有時稱作芯片ID,以唯一地識別一個晶片的管芯。有時,在從晶片分離管芯之后,例如當在產品工作之前測試基于分離管芯的產品時,然而,也可能僅產品工作許多年后,可以出現找出該半導體器件的標識也即找出該半導體器件源自何處的需要。
附圖說明
當結合后續詳細說明書考慮時,可以通過參考附圖獲得對本發明的完整理解,附圖中:
圖1示出了根據一些實施例的方法的流程圖。
圖2A和圖2B示出了根據一些實施例的可配置電路元件結構的透視圖。
圖3A和圖3B示出了根據一些實施例的可配置電路元件結構的剖視圖。
圖4示出了根據一些實施例的可配置電路元件結構的剖視圖。
圖5示出了根據一些實施例的可配置電路元件結構的剖視圖。
圖6示出了根據一些實施例的可配置電路元件結構的剖視圖。
圖7示出了根據一些實施例的包括多個半導體器件結構的晶片的示意性頂視圖。
圖8A示出了根據一些實施例的示例性第一可配置電路元件結構的頂視圖。
圖8B示出了根據一些實施例的第一可配置電路元件結構的另一示例的頂視圖。
圖9A示出了根據一些實施例的示例性第二可配置電路元件結構的頂視圖。
圖9B示出了根據一些實施例的第二可配置電路元件結構的另一示例的頂視圖。
圖10示出了根據一些實施例的用于制造半導體器件的設備的示意圖。
圖11示出了根據一些實施例的用于制造半導體器件的方法的流程圖。
圖12A和圖12B示出了根據一些實施例的可配置電路元件結構的透視圖。
圖13A和圖13B示出了根據一些實施例的可配置電路元件結構的頂視圖。
圖14A和圖14B示出了根據一些實施例的另一可配置電路元件結構的頂視圖。
圖15示出了根據一些實施例的另一方法的流程圖。
圖16示出了根據一些實施例的包括多個半導體器件結構的晶片的示意性頂視圖。
為了清楚和簡要的目的,遍及附圖中相同的元件和部件將帶有相同的標記和編號。
具體實施方式
以下參照附圖來公開實施例、實施方式及相關效果。
圖1示出了根據一些實施例的方法的流程圖。所述方法可以用于制造半導體器件芯片。在一些實施例中,半導體器件芯片可以例如每個包括一個或多個集成電路。在一些實施例中,半導體器件包括功率晶體管。在一些實施例中,半導體器件包括傳感器。在一些實施例中,前述元件的至少兩個被結合在半導體器件芯片中。
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