[發明專利]電子器件襯底及其制造方法

在審

• 申請號: 201710090563.8
• 申請日: 2017-02-20
• 公開（公告）號: CN107104093A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: C·斯吉亞羅維魯;M·米希茲;A·伍德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/12;H01L23/48;H01L21/66
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種用于制造半導體器件芯片的方法，所述方法包括：

提供包括多個半導體器件結構的晶片；

測試半導體器件結構；以及

基于測試結果在所述晶片的所選擇部分上提供物質來選擇性地配置所述半導體器件結構的電路元件。

2.一種晶片，包括多個相同的半導體器件結構，每個半導體器件結構具有多個電路元件，其中設置在第一半導體器件結構內的第一對平臺之間的所選擇位置處的無源電路元件與設置在第二半導體器件結構內的第二對平臺之間的所選擇位置處的另一無源電路元件的不同之處在于，所述第一半導體器件結構內的所述無源電路元件包括導電材料，而所述另一無源電路元件不包括任何導電材料。

3.一種管芯，包括：

一對電介質平臺，其電分離與該一對電介質平臺相關聯的兩個導電節點，以及

導電線路，其在與電介質平臺相關聯的所述兩個導電節點之間建立電連接，

其中所述導電線路的表面具有外凸截面。

4.一種管芯，包括：

多對電介質平臺，每對電介質平臺電分離與該對電介質平臺相關聯的兩個導電節點，以及

導電物質，其橫跨所述多對電介質平臺而數字地分布，以及

其中在存在于一對電介質平臺上時，所述導電物質在與該電介質平臺相關聯的兩個導電節點之間建立電連接。

5.一種用于晶片光刻的掩模，

包括配置為將金屬結構投影至晶片上的圖案，

其中所述圖案包括多個等同的圖案部分，其中每個等同的圖案部分包括成對的相對平臺的陣列，其中所述成對的相對平臺中的每一個包括圓形的舌尖端。

6.一種用于制造半導體器件的設備，其中，所述設備包括配置為在晶片的所選擇部分上印刷導電物質的印刷單元。

7.一種用于制造半導體器件的方法，其以以下順序包括：

加工晶片以形成設置在所述晶片上的至少第一結構層中的多個半導體器件結構；

測試所述晶片；

在所述晶片上增加另一結構層；以及

在測試所述晶片與在所述晶片上增加另一結構層的動作之間，在包括一個半導體器件結構的所述晶片的所選擇部分上的所選擇位置處選擇性地沉積物質。

8.一種用于制造半導體器件芯片的方法，所述方法包括：

提供具有多個半導體器件結構的晶片；

測試半導體器件結構；以及

基于測試結果通過在所述晶片的所選擇部分上提供液體來選擇性地改變所述半導體器件結構的電路元件。

9.一種晶片，包括多個相同的半導體器件，每個半導體器件包括多個電路元件，

其中在第一半導體器件內的所選擇位置處的電路元件與在另一半導體器件內的所選擇位置中的另一電路元件的不同之處在于，所述第一半導體器件內的電路元件是電阻性的并且形成為被刻蝕的凹陷，而所述另一電路元件是導電性的。

10.一種管芯，包括：

多個熔絲，其包括至少一個斷開的熔絲，

其中所述至少一個斷開的熔絲的電連接的斷裂由內凹的濕法刻蝕凹坑而形成。

11.一種用于制造半導體器件的設備，其中，所述設備包括配置為在晶片的所選擇部分上印刷刻蝕物質的印刷單元。

12.一種用于制造半導體器件的方法，其以以下順序包括：

加工晶片以形成設置在所述晶片上的至少第一結構層中的多個半導體器件結構；

測試所述晶片；

在所述晶片上增加另一結構層；以及

在測試所述晶片與在所述晶片上增加另一結構層的動作之間，在包括一個半導體器件結構的所述晶片的所選擇部分上的所選擇位置處選擇性地沉積物質。

13.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

測試晶片；

基于測試結果在所述晶片上選擇性地提供物質以獲得具有改變的至少一個所選擇部分的改變的晶片；以及

在所述改變的晶片的頂部上增加結構層。

14.一種用于從工件制造多個電子器件的方法，所述方法包括：

－編譯數據文件中的數據記錄的集合，其中每個數據記錄表示唯一地與將要從所述工件制造的相應電子器件相關聯的信息，以及

－基于所述數據文件來控制在所述工件上的所選擇位置處沉積物質。