[發明專利]元件芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201710088563.4
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN107180753B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 置田尚吾;針貝篤史
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種元件芯片的制造方法，將具備第1主面以及與第1主面相反的一側的第2主面且具備由分割區域劃定的多個元件區域的基板，在所述分割區域進行分割來形成多個元件芯片，

所述元件芯片的制造方法包括：

準備工序，準備將所述第1主面粘接到保持片而保持在所述保持片的基板；

載置工序，將保持了所述基板的所述保持片載置到設置在等離子體處理裝置內的載置臺；和

等離子體切割工序，將所述基板的所述分割區域從所述第2主面等離子體蝕刻到所述第1主面，將所述基板單片化為多個元件芯片，

所述等離子體切割工序包括：

第1等離子體蝕刻工序，在所述載置臺與所述保持片之間供給冷卻用氣體，同時等離子體蝕刻所述分割區域的厚度的一部分；和

第2等離子體蝕刻工序，在所述第1等離子體蝕刻工序之后，停止所述冷卻用氣體的供給，等離子體蝕刻所述分割區域的剩余部分，

所述等離子體切割工序在對所述載置臺施加了高頻電力的狀態下進行，

所述第1等離子體蝕刻工序中施加給所述載置臺的所述高頻電力，大于所述第2等離子體蝕刻工序中施加給所述載置臺的所述高頻電力。

2.根據權利要求1所述的元件芯片的制造方法，其中，

在所述分割區域的剩余厚度大于20μm的時刻，結束所述第1等離子體蝕刻工序，開始所述第2等離子體蝕刻工序。