[發(fā)明專利]元件芯片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710088563.4
• 申請(qǐng)日: 2017-02-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107180753B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 置田尚吾;針貝篤史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

一種元件芯片的制造方法，在對(duì)保持在保持片的基板進(jìn)行等離子體切割時(shí)提高產(chǎn)品的成品率。元件芯片的制造方法包括：準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備將基板的第1主面粘接到保持片而保持在保持片的基板；載置工序，將保持了基板的保持片載置到設(shè)置在等離子體處理裝置內(nèi)的載置臺(tái)；和等離子體切割工序，將基板的分割區(qū)域等離子體蝕刻到第1主面，將基板單片化為多個(gè)元件芯片。等離子體切割工序包括：第1等離子體蝕刻工序，在載置臺(tái)與保持片之間供給冷卻用氣體，同時(shí)等離子體蝕刻分割區(qū)域的厚度的一部分；和第2等離子體蝕刻工序，在第1等離子體蝕刻工序之后，停止冷卻用氣體的供給，等離子體蝕刻分割區(qū)域的剩余部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及由保持在保持片的基板制造元件芯片的方法。

背景技術(shù)

作為切割具備由分割區(qū)域劃定的多個(gè)元件區(qū)域的基板的方法，已知對(duì)該分割區(qū)域進(jìn)行等離子體蝕刻，從而將基板分割為多個(gè)元件芯片的等離子體切割。近年來(lái)，電子設(shè)備變得小型化以及薄型化，電子設(shè)備中搭載的IC芯片等的厚度變小。與此同時(shí)，成為等離子體切割的對(duì)象的用于形成IC芯片等的基板的厚度也變小，基板變得容易撓曲。

專利文獻(xiàn)1教導(dǎo)了下述內(nèi)容：為了提高運(yùn)輸、拾取等中的基板或者元件芯片的操作性，在使基板保持在具備框架和覆蓋其開(kāi)口部的保持片的運(yùn)輸載體的狀態(tài)下，載置到等離子體處理裝置具備的載置臺(tái)，進(jìn)行等離子體切割。在使用保持片的情況下，若保持片變得高溫，則會(huì)伸長(zhǎng)或損傷等，從而單片化了的元件芯片脫落，或者從保持片拾取元件芯片變得困難。因此，載置臺(tái)具備用于粘著保持片的靜電吸附機(jī)構(gòu)并且被冷卻。通過(guò)使保持片靜電吸附到被冷卻了的載置臺(tái)，從而等離子體處理中的保持片也被冷卻。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2012/164857號(hào)小冊(cè)子

將具備包含絕緣膜的電路層的基板保持在保持片的狀態(tài)下進(jìn)行等離子體切割的情況下，對(duì)埋設(shè)在載置臺(tái)的高頻電極施加較大的高頻電力，施加較高的偏置電壓的同時(shí)進(jìn)行等離子體處理。據(jù)此，蝕刻速度變快，能夠提高吞吐量。另一方面，若施加較高的偏置電壓，則保持片容易變得高溫。因此，根據(jù)提高吞吐量的觀點(diǎn)，也需要在等離子體處理中使保持片高效地冷卻。

然而，在處理對(duì)象不是保持于保持片的基板，而是具有足夠的厚度的基板單體的情況下，為了提高基板的冷卻效率，有時(shí)使基板靜電吸附于載置臺(tái)，同時(shí)從設(shè)置在載置臺(tái)表面的氣孔向基板與載置臺(tái)之間供給氦氣(He)等導(dǎo)熱氣體作為冷卻用氣體。此時(shí)，通過(guò)提高供給到基板與載置臺(tái)之間的導(dǎo)熱氣體的壓力，從而進(jìn)一步提高基板的冷卻效率。

但是，在使用保持片的情況下，有時(shí)難以提高供給到載置臺(tái)與保持片之間的導(dǎo)熱氣體的壓力。因?yàn)楸３制瑢?duì)載置臺(tái)的靜電吸附力，比基板單體對(duì)載置臺(tái)的靜電吸附力弱。而且，若伴隨等離子體蝕刻的進(jìn)展而基板的分割區(qū)域的厚度變小，則基板難以保持平坦的形狀。因此，通過(guò)經(jīng)由保持片的來(lái)自載置臺(tái)側(cè)的導(dǎo)熱氣體的壓力，基板變得容易以分割區(qū)域?yàn)槠瘘c(diǎn)而與保持片一起從載置臺(tái)浮起。若基板從載置臺(tái)浮起，則容易產(chǎn)生加工形狀的異常、異常放電等問(wèn)題。而且，因?yàn)楸３制c載置臺(tái)的粘著性降低，所以不能充分地冷卻保持片。

此外，進(jìn)行等離子體切割的情況下，存在靜電吸附力容易變得不穩(wěn)定的課題。一般靜電吸附所使用的靜電吸附用電極(以下稱為ESC電極)，存在利用約翰遜-拉貝克(Johnsen-Rahbek)力的ESC電極和利用庫(kù)侖(Coulomb)力的ESC電極。在等離子體切割中，基板需要經(jīng)由保持片而吸附到載置臺(tái)。如保持片為絕緣性的情況那樣，在約翰遜-拉貝克力難以發(fā)揮作用的情況下，優(yōu)選使用利用庫(kù)侖力的ESC電極。

在利用庫(kù)侖力的ESC電極的情況下，在基板以及保持片的表面所帶電的電荷與設(shè)置在載置臺(tái)內(nèi)部的ESC電極之間產(chǎn)生靜電吸附力。在等離子體切割中，基板在保持片上被單片化為元件芯片。此時(shí)，由于基板的膜厚分布、等離子體的分布等的影響，對(duì)于被單片化的時(shí)機(jī)，在基板面內(nèi)產(chǎn)生偏差。因此，若在等離子體切割的過(guò)程開(kāi)始基板的單片化，則基板表面所帶電的電荷的面內(nèi)分布變得不均勻，靜電吸附力容易變得不穩(wěn)定。