[發明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 201710087307.3
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN106920754A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 石龍強
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/477;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 袁江龍

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上依次沉積緩沖層及遮光層；

在所述遮光層上形成覆蓋所述遮光層的IGZO層；

對所述IGZO層進行退火處理，以在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得部分所述IGZO層具有導體特性；

形成與所述IGZO層具有導體特性的部分接觸的源極、漏極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述IGZO層包括對應所述遮光層位置的第一部分及與所述第一部分相鄰的第二部分，所述在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得部分所述IGZO層具有導體特性包括：

在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得所述第二部分具有導體特性。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述緩沖層為含氫緩沖層，所述在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得所述第二部分具有導體特性包括：

在所述退火過程中，所述含氫緩沖層中的氫氣擴散至所述第二部分，使得所述第二部分形成摻雜IGZO，進而具有導體特性。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一部分在退火之后保留半導體特性。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成與所述IGZO層具有導體特性的部分接觸的源極、漏極包括：

在退火處理后的所述IGZO層上依次設置介電層、柵極及中間層；

開設貫穿所述介電層與中間層且連通所述第二部分的接觸孔；

在所述中間層上及接觸孔中沉積金屬，以形成所述源極、漏極。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述遮光層為金屬遮光層，所述在所述遮光層上形成覆蓋所述遮光層的IGZO層之前進一步包括：

對所述金屬遮光層進行氧氣等離子處理，使得所述金屬遮光層遠離所述緩沖層的一面形成絕緣層。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

依次沉積的緩沖層及遮光層；

覆蓋所述遮光層的IGZO層，且所述IGZO層在制備時，所述緩沖層使得部分所述IGZO層具有導體特性；

與所述IGZO層具有導體特性的部分接觸的源極、漏極。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述IGZO層包括對應所述遮光層位置的第一部分及與所述第一部分相鄰的第二部分，所述IGZO層具有導體特性的部分為所述第二部分。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖層為含氫緩沖層，所述IGZO層在制備時，所述含氫緩沖層中的氫氣擴散至所述第二部分，以使得所述第二部分形成摻雜IGZO，進而具有導體特性。

10.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述IGZO層上依次設有介電層、柵極及中間層，所述介電層及中間層開設有貫穿所述介電層與中間層且連通所述第二部分的接觸孔，所述源極、漏極通過所述接觸孔與所述第二部分接觸。