[發明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 201710087307.3
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN106920754A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 石龍強
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/477;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 袁江龍

技術領域

本發明涉及領域顯示面板技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管及其制備方法。

背景技術

TFT一般是由非晶硅薄膜晶體管制成，隨著顯示器尺寸的不斷增大，非晶硅薄膜晶體管出現了電子遷移率不足，均一性差，同時還占用像素面積，導致透光率降低的缺陷，因此，使用IGZO的氧化物半導體材料取代由非晶硅薄膜晶體管制成的傳統TFT應運而生。為了保證IGZO TFT中的源極、漏極與IGZO有很好的接觸，在制備過程中，IGZO與源極、漏極接觸的界面需要進行特殊處理，使得接觸界面具有導體性。

現有技術中，一般采用氧氣等離子技術對接觸界面進行氧氣等離子處理，使接觸界面具有導體性，但這種方法工藝復雜、生產效率高。

發明內容

本發明主要提供一種薄膜晶體管及其制備方法，旨在解決IGZO薄膜晶體管中IGZO層與源極、漏極接觸的部分制備工藝復雜的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種薄膜晶體管的制備方法，該方法包括：在基板上依次沉積緩沖層及遮光層；在所述遮光層上形成覆蓋所述遮光層的IGZO層；對所述IGZO層進行退火處理，以在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得部分所述IGZO層具有導體特性；形成與所述IGZO層具有導體特性的部分接觸的源極、漏極。

其中，所述IGZO層包括對應所述遮光層位置的第一部分及與所述第一部分相鄰的第二部分，所述在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得部分所述IGZO層具有導體特性包括：在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得所述第二部分具有導體特性。

其中，所述緩沖層為含氫緩沖層，所述在所述退火處理過程中，所述緩沖層使得所述第二部分具有導體特性包括：在所述退火過程中，所述含氫緩沖層中的氫氣擴散至所述第二部分，使得所述第二部分形成摻雜IGZO，進而具有導體特性。

其中，所述第一部分在退火之后保留半導體特性。

其中，所述形成與所述IGZO層具有導體特性的部分接觸的源極、漏極包括：在退火處理后的所述IGZO層上依次設置介電層、柵極及中間層；開設貫穿所述介電層與中間層且連通所述第二部分的接觸孔；在所述中間層上及所述接觸孔中沉積金屬，以形成所述源極、漏極。

其中，所述遮光層為金屬遮光層，所述在所述遮光層上形成覆蓋所述遮光層的IGZO層之前進一步包括：對所述金屬遮光層進行氧氣等離子處理，使得所述金屬遮光層遠離所述緩沖層的一面形成絕緣層。

其中，所述遮光層為絕緣遮光層。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：依次沉積的緩沖層及遮光層；覆蓋所述遮光層的IGZO層，且所述IGZO層在制備時，所述緩沖層使得部分所述IGZO層具有導體特性；與所述IGZO層具有導體特性的部分接觸的源極、漏極。

其中，所述IGZO層包括對應所述遮光層位置的第一部分及與所述第一部分相鄰的第二部分，所述IGZO層具有導體特性的部分為所述第二部分。

其中，所述緩沖層為含氫緩沖層，所述IGZO層在制備時，所述含氫緩沖層中的氫氣擴散至所述第二部分，以使得所述第二部分形成摻雜IGZO，進而具有導體特性。

其中，所述IGZO層上依次設有介電層、柵極及中間層，所述介電層及中間層開設有貫穿所述介電層與中間層且連通所述第二部分的接觸孔，所述源極、漏極通過所述接觸孔與所述第二部分接觸。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明通過在IGZO層退火處理過程中，緩沖層使得IGZO層與源、漏極接觸的部分具有導體特性，而不需要為了使該部分具有導體特性進行其他的工藝處理，簡化了IGZO薄膜晶體管的制備工藝，提高了生產效率。

附圖說明

圖1是本發明提供的薄膜晶體管的制備方法第一實施例的流程示意圖；

圖2是圖1中各步驟制成的薄膜晶體管截面示意圖；

圖3是圖1中步驟S104的具體流程示意圖；

圖4是本發明提供的薄膜晶體管的制備方法第二實施例的流程示意圖；

圖5是圖4中各步驟制成的薄膜晶體管截面示意圖；

圖6是本發明提供的薄膜晶體管第一實施例的截面示意圖；

圖7是本發明提供的薄膜晶體管第二實施例的截面示意圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本發明所提供的一種薄膜晶體管及其制備方法做進一步詳細描述。

請一并參閱圖1和圖2，本發明提供的薄膜晶體管的制備方法第一實施例包括：