[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710087170.1
• 申請日: 2017-02-17
• 公開（公告）號: CN106876327B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 宋振;王國英;劉鳳娟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，可保護有源層免受光照影響，減少器件V_th漂移，保證器件的開關特性。該陣列基板的制備方法包括，在襯底基板上形成依次遠離襯底基板的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；采用濺射法或蒸鍍法，在真空或惰性氣體環境下，以硅作為靶材或蒸發源，在襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；對非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成至少位于有源層上方的第一層間絕緣層；第一層間絕緣層上形成有露出有源層上的源極接觸區與漏極接觸區的通孔；在第一層間絕緣層上方形成通過通孔分別與源極接觸區相連的源極、與漏極接觸區相連的漏極。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

如圖1所示，頂柵型(Top Gate，簡稱為TPG)薄膜晶體管由于柵極與源極、漏極交疊面積較少，產生的寄生電容也相對較小而廣泛應用于有源矩陣顯示產品中的陣列基板上。在TPG型薄膜晶體管中，由于有源層位于柵極下方，來自于襯底基板背離薄膜晶體管一側的光線穿過襯底基板會照射到有源層上后會使得有源層的NBIS(全稱為Negative BiasIllumination Stability，即負偏壓光照穩定性)和PBIS(全稱為Positive BiasIllumination Stability，即正偏壓光照穩定性)降低，導致器件的閾值電壓(V_th)產生非常嚴重的漂移。因此，針對TPG型薄膜晶體管，現有技術在形成有源層之前先在襯底基板上方依次沉積了遮擋層(即Shield層)和緩沖層(即Buffer層)，利用遮擋層使得來自于襯底基板背離薄膜晶體管一側的光線不會穿過襯底基板照射到有源層上，以提高器件的可靠性。

在TPG型薄膜晶體管的結構中，為了隔離包括有源極和漏極的源漏金屬層與包括有柵極的柵金屬層，需要在這兩層之間沉積層間絕緣層(Inter layer Dielectric，簡稱為ILD)，常用的ILD材料有氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)等絕緣介質。

由于這些絕緣材料都是透明的，從設置在TPG型薄膜晶體管上方的OLED器件(全稱為Organic Light-Emitting Display，即有機電致發光顯示)發出的光或是背光源經薄膜晶體管下方的緩沖層透過的光在陣列基板各層中經過一系列反射和/或折射，最終仍然會有光線照射到TPG型薄膜晶體管中的有源層上，導致薄膜晶體管的V_th仍然會產生漂移，影響器件的開關特性。

發明內容

鑒于此，為解決現有技術的問題，本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可保護有源層免受光照影響，減少薄膜晶體管出現V_th漂移現象，保證器件良好的開關特性。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面、本發明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括，在襯底基板上形成依次遠離所述襯底基板的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；所述制備方法還包括，采用濺射法，在真空或惰性氣體環境下，以硅作為靶材，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；或者，采用蒸鍍法，在真空或惰性氣體環境下，以硅作為蒸發源，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成至少位于所述有源層上方的第一層間絕緣層；所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區與漏極接觸區的通孔；在所述第一層間絕緣層上方形成通過所述通孔分別與所述源極接觸區相連的源極、與所述漏極接觸區相連的漏極。