[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710087170.1
• 申請(qǐng)日: 2017-02-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106876327B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋振;王國(guó)英;劉鳳娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括，在襯底基板上形成依次遠(yuǎn)離所述襯底基板的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；其特征在于，所述制備方法還包括，

采用濺射法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為靶材，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；或者，采用蒸鍍法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為蒸發(fā)源，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；

對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成至少位于所述有源層上方的第一層間絕緣層；所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔；

在所述第一層間絕緣層上方形成通過(guò)所述通孔分別與所述源極接觸區(qū)相連的源極、與所述漏極接觸區(qū)相連的漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成第一層間絕緣層的步驟之前，所述制備方法還包括，

形成覆蓋所述非晶硅薄膜的絕緣材料薄膜；

所述對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成第一層間絕緣層的步驟包括，

采用同一構(gòu)圖工藝對(duì)所述非晶硅薄膜與所述絕緣材料薄膜進(jìn)行處理，形成至少位于所述有源層上方的圖案相同的第一層間絕緣層與第二層間絕緣層；其中，露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔貫穿所述第一層間絕緣層與所述第二層間絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陣列基板劃分有多個(gè)像素區(qū)域；

所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的所述通孔的同時(shí)，還形成有位于所述像素區(qū)域的鏤空部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括，

形成覆蓋所述襯底基板的鈍化層；

在所述鈍化層覆蓋所述鏤空區(qū)域的上方形成彩色濾光層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，

構(gòu)成所述柵極的材料包括銅；

形成的所述第一層間絕緣層與所述柵極、所述有源層直接接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，

所述有源層為氧化物半導(dǎo)體有源層，且所述有源層上的所述源極接觸區(qū)與所述漏極接觸區(qū)均為摻雜形成的導(dǎo)體化區(qū)域；

形成的所述第一層間絕緣層與所述柵極、所述有源層直接接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成的所述第一層間絕緣層還位于所述有源層的四周。

8.一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板，依次遠(yuǎn)離所述襯底基板設(shè)置的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；其特征在于，所述陣列基板還包括，

設(shè)置在所述有源層上方的第一層間絕緣層；所述第一層間絕緣層由絕緣且不透光的非晶硅材料構(gòu)成；所述第一層間絕緣層具有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔；

設(shè)置在所述第一層間絕緣層上方的通過(guò)所述通孔分別與所述源極接觸區(qū)相連的源極、與所述漏極接觸區(qū)相連的漏極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括，

設(shè)置在所述第一層間絕緣層上方的、且與所述第一層間絕緣層圖案相同的第二層間絕緣層；其中，露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔貫穿所述第一層間絕緣層與所述第二層間絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板劃分有多個(gè)像素區(qū)域；所述第一層間絕緣層還具有位于所述像素區(qū)域的鏤空部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括，

覆蓋襯底基板的鈍化層；設(shè)置在所述鈍化層覆蓋所述鏤空區(qū)域的上方的彩色濾光層。