[發明專利]一種高可靠性HEMT制作方法在審
| 申請號： | 201710086139.6 | 申請日： | 2017-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN106920747A | 公開（公告）日： | 2017-07-04 |
| 發明（設計）人： | 彭虎;張耀輝;莫海鋒 | 申請（專利權）人： | 昆山華太電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/335 | 分類號： | H01L21/335;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可靠性 hemt 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：包括以下步驟，
步驟1，在成型后的HEMT器件上淀積介質層，并對介質層進行平坦化處理；
步驟2，在平坦化處理后的介質層上刻蝕若干通孔或槽；
步驟3，在通孔或槽中淀積金屬層，并對金屬層進行平坦化處理；
步驟4，在平坦化處理后的金屬層和介質層上淀積鈍化層。
2.根據權利要求1所述的一種高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：平坦化處理后的金屬層頂面與平坦化處理后的介質層頂面齊平。
3.根據權利要求1或2所述的一種高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述介質層的應力范圍為-1×109～1×109dyne/cm2。
4.根據權利要求3所述的一種高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述介質層包括多層介質，相鄰兩層介質之間設置有介質阻擋層。
5.根據權利要求1或2所述的一種高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述金屬層的底部設置有金屬阻擋層。
6.根據權利要求1所述的一種高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述鈍化層為SiN和/或SiON。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
