[發(fā)明專利]電子部件模塊及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710083886.4
• 申請(qǐng)日: 2017-02-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107342266B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中尾彰夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新科實(shí)業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L21/56;H01L23/552;H05K9/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種電子部件模塊，其具有：

基板；

至少一個(gè)電子部件，所述電子部件形成于該基板的一側(cè)的主表面；

樹(shù)脂模制層，所述樹(shù)脂模制層以使用密封樹(shù)脂密封該電子部件的方式形成；以及

薄膜磁屏蔽層，所述薄膜屏蔽層形成于該樹(shù)脂模制層的與所述主表面相對(duì)的樹(shù)脂表面，

該薄膜磁屏蔽層具有薄膜多重屏蔽層，所述薄膜多重屏蔽層具有由多個(gè)薄膜單位屏蔽層層壓而成的屏蔽體多重結(jié)構(gòu)，

所述薄膜單位屏蔽層具有軟磁性層和應(yīng)力差異金屬層的層壓結(jié)構(gòu)，所述軟磁性層由軟磁性材料構(gòu)成，所述應(yīng)力差異金屬層由與該軟磁性層應(yīng)力方向不同的應(yīng)力差異金屬材料構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的電子部件模塊，其中，

所述薄膜單位屏蔽層為以如下方式形成的濺射薄膜或蒸鍍薄膜：所述軟磁性層的膜厚被設(shè)定為大于所述應(yīng)力差異金屬層的膜厚，其大小為所述應(yīng)力差異金屬層的膜厚的20倍至60倍，并且所述軟磁性層顯示拉伸應(yīng)力且所述應(yīng)力差異金屬層顯示壓縮應(yīng)力，或者所述軟磁性層顯示壓縮應(yīng)力且所述應(yīng)力差異金屬層顯示拉伸應(yīng)力。

3.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其中，

所述薄膜磁屏蔽層進(jìn)一步具有：

粘合晶種層，所述粘合晶種層直接形成于所述樹(shù)脂模制層的所述樹(shù)脂表面；

電磁波屏蔽層，所述電磁波屏蔽層層壓于該粘合晶種層和所述薄膜多重屏蔽層之間；以及

保護(hù)層，所述保護(hù)層直接形成于所述薄膜多重屏蔽層，

該粘合晶種層、保護(hù)層使用與所述應(yīng)力差異金屬材料相同的金屬材料而形成，且所述電磁波屏蔽層使用銅、銀、鋁以及其他導(dǎo)電性金屬材料而形成。

4.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其中，所述薄膜磁屏蔽層也形成于所述樹(shù)脂模制層的與所述樹(shù)脂表面相交的樹(shù)脂側(cè)面。

5.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其中，

所述樹(shù)脂模制層在所述樹(shù)脂表面和與該樹(shù)脂表面相交的樹(shù)脂側(cè)面之間形成彎曲面或連接端面，該連接端面和所述樹(shù)脂表面所成的角以及該連接端面和所述樹(shù)脂側(cè)面所成的角均設(shè)定為鈍角，在所述樹(shù)脂模制層的所述樹(shù)脂側(cè)面以及所述彎曲面或連接端面也形成有所述薄膜磁屏蔽層。

6.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其中，

所述樹(shù)脂模制層在與所述樹(shù)脂表面的各所述電子部件之間相對(duì)應(yīng)的部件間對(duì)應(yīng)位置形成有凹部，所述薄膜磁屏蔽層也形成于該凹部的內(nèi)表面。

7.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其中，作為所述軟磁性層的所述軟磁性材料，使用鐵鎳系合金、鐵、鐵系合金、或FeCrSi合金。

8.如權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其中，作為所述應(yīng)力差異金屬材料，可使用Cr或W、Ag、Au、Cu、AlN。

9.如權(quán)利要求3所述的電子部件模塊，其中，作為所述應(yīng)力差異金屬材料，使用Cr或W、Ag、Au、Cu、AlN，作為所述粘合晶種層和所述保護(hù)層的材料，使用Cr。

10.一種電子部件模塊的制造方法，其包括：

樹(shù)脂模制層形成工序，所述樹(shù)脂模制層形成工序?yàn)椋允褂妹芊鈽?shù)脂將形成于基板的一側(cè)的主表面的至少一個(gè)電子部件密封的方式形成樹(shù)脂模制層；以及

薄膜磁屏蔽層形成工序，所述薄膜屏蔽層形成工序?yàn)椋谠摌?shù)脂模制層的與所述主表面相對(duì)的樹(shù)脂表面形成薄膜磁屏蔽層，

該薄膜磁屏蔽層形成工序具有薄膜多重屏蔽層形成工序，所述薄膜多重屏蔽層形成工序?yàn)椋ㄟ^(guò)反復(fù)進(jìn)行形成具有軟磁性層和應(yīng)力差異金屬層的層壓結(jié)構(gòu)的薄膜單位屏蔽層的薄膜單位屏蔽層形成工序，來(lái)形成具有由多個(gè)所述薄膜單位屏蔽層層壓而成的屏蔽體多重結(jié)構(gòu)的薄膜多重屏蔽層，所述軟磁性層由軟磁性材料構(gòu)成，所述應(yīng)力差異金屬層由與該軟磁性層的應(yīng)力方向不同的應(yīng)力差異金屬材料構(gòu)成。