[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710083390.7
• 申請(qǐng)日: 2017-02-16
• 公開（公告）號(hào): CN106856210B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 包智穎;王世君;白璐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;張博

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。薄膜晶體管，包括形成在襯底上的源電極、漏電極和有源層，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，所述薄膜晶體管還包括：至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，從而可以將薄膜晶體管的溝道寬度設(shè)計(jì)的比較小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示器)行業(yè)中低世代線采用的陣列基板曝光設(shè)備精度普遍較低，使得TFT(薄膜晶體管)溝道長度L比較長，無法進(jìn)一步縮短，由于薄膜晶體管的開態(tài)電流與TFT的溝道寬長比W/L成正比，因此，會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管的開態(tài)電流比較小；隨著高端顯示產(chǎn)品PPI(像素密度)越來越高，為了滿足顯示產(chǎn)品的充電率需求，需要提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，因此需要將薄膜晶體管的溝道寬度設(shè)計(jì)的比較大，這樣就嚴(yán)重影響了顯示基板的開口率，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致顯示基板的負(fù)載比較大，導(dǎo)致顯示裝置的功耗顯著上升。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置，能夠提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，從而可以將薄膜晶體管的溝道寬度設(shè)計(jì)的比較小。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管，包括形成在襯底上的源電極、漏電極和有源層，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，所述薄膜晶體管還包括：

至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管還包括：

與所述有源層的源電極接觸區(qū)接觸且與所述第一導(dǎo)電圖形間隔開的第二導(dǎo)電圖形；和/或

與所述有源層的漏電極接觸區(qū)接觸且與所述第一導(dǎo)電圖形間隔開的第三導(dǎo)電圖形。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電圖形呈陣列排布。

進(jìn)一步地，每一所述第一導(dǎo)電圖形的延伸方向與從所述源電極到所述漏電極的第一方向平行。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電圖形、所述第二導(dǎo)電圖形和所述第三導(dǎo)電圖形均是金屬納米線。

進(jìn)一步地，每一所述第一導(dǎo)電圖形的長度為Lx，在第一方向上相鄰第一導(dǎo)電圖形之間的間距為Ly，Ly/Lx的取值為0.3～0.7。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，包括如上所述的薄膜晶體管。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括在襯底上形成源電極、漏電極和有源層的步驟，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，所述制作方法還包括：

形成至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。

進(jìn)一步地，形成所述第一導(dǎo)電圖形的步驟包括：

在待形成所述第一導(dǎo)電圖形的襯底上涂覆光刻膠；

通過壓印將模板上的圖案轉(zhuǎn)印在光刻膠上，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)所述圖案；