[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710083390.7
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106856210B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 包智穎;王世君;白璐
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;張博

1.一種薄膜晶體管，包括形成在襯底上的源電極、漏電極和有源層，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區以及位于所述源電極接觸區和所述漏電極接觸區之間的溝道區，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

至少分布在所述有源層的溝道區的第一導電圖形，所述第一導電圖形與所述溝道區接觸；

所述薄膜晶體管還包括：

與所述有源層的源電極接觸區接觸且與所述第一導電圖形間隔開的第二導電圖形；和/或

與所述有源層的漏電極接觸區接觸且與所述第一導電圖形間隔開的第三導電圖形。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導電圖形呈陣列排布。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，每一所述第一導電圖形的延伸方向與從所述源電極到所述漏電極的第一方向平行。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導電圖形、所述第二導電圖形和所述第三導電圖形均是金屬納米線。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，每一所述第一導電圖形的長度為Lx，在第一方向上相鄰第一導電圖形之間的間距為Ly，Ly/Lx的取值為0.3～0.7。

6.一種顯示基板，其特征在于，包括如權利要求1-5中任一項所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求6所述的顯示基板。

8.一種薄膜晶體管的制作方法，包括在襯底上形成源電極、漏電極和有源層的步驟，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區以及位于所述源電極接觸區和所述漏電極接觸區之間的溝道區，其特征在于，所述制作方法還包括：

形成至少分布在所述有源層的溝道區的第一導電圖形，所述第一導電圖形與所述溝道區接觸。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，形成所述第一導電圖形的步驟包括：

在待形成所述第一導電圖形的襯底上涂覆光刻膠；

通過壓印將模板上的圖案轉印在光刻膠上，形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域，光刻膠未保留區域對應所述圖案；

沉積導電層，所述導電層包括位于光刻膠保留區域上的第一部分和位于光刻膠未保留區域與所述襯底相接觸的第二部分；

對光刻膠進行曝光顯影，去除光刻膠保留區域的光刻膠和所述第一部分，保留所述第二部分形成所述第一導電圖形。