[發明專利]一種背裂式裂片方法

在審

• 申請號: 201710082979.5
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106816500A
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 崔杰;彭友;陳龍;丁磊
• 申請（專利權）人: 安徽芯瑞達科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)11390
• 代理人: 胡劍輝

技術領域

本發明屬于LED芯片技術領域，特別是一種背裂式裂片方法。

背景技術

LED芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試→分選→外觀測試→打標入庫。

外延片的生產制作過程是非常復雜的，在展完外延片后，下一步就開始對LED外延片做電極(P極，N極)，接著就開始用激光機切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀)，制造成芯片后。

1、主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準參數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。

2、晶圓切割成芯片后，100％的目檢(VI/VC)，操作者要使用放大30倍數的顯微鏡下進行目測。

3、接著使用全自動分類機根據不同的電壓，波長，亮度的預測參數對芯片進行全自動化挑選、測試和分類。

4、最后對LED芯片進行檢查(VC)和貼標簽。芯片區域要在藍膜的中心，藍膜上最多有5000粒芯片，但必須保證每張藍膜上芯片的數量不得少于1000粒，芯片類型、批號、數量和光電測量統計數據記錄在標簽上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最后的目檢測試與第一次目檢標準相同，確保芯片排列整齊和質量合格。這樣就制成LED芯片(目前市場上統稱方片)。

晶圓經過切割后，并未完全分開。需要經過劃片后的晶圓上覆蓋一層玻璃紙，然后白膜向上，玻璃紙向下，放入裂片機臺，進行裂片。

為了更好的提升光提取效率，背鍍DBR層數由30層，提升到了48層。使用傳統的正裂方法，機臺CCD收集到的光強較暗，出現很多無法識別芯片模板的現象，導致無法作業，故，嘗試采用背裂方式完成裂片作業。

裂片時CCD處于載臺下方，IR光源和劈刀處于載臺上方，通常將芯片正面朝上放入載臺上(正裂位)。48層DBR反射光譜帶寬約為400～850nm，而IR光源波長約為810nm。正裂時，IR光依次穿過SPV224白膜、SiO2、ITO、外延層、藍寶石襯底層、DBR(布拉格反射層為Ti3O5和SiO2的高低折射率層疊加的ABAB…結構的增反膜)和PET膜，記作“光程1”，最后被CCD接收信號，IR光穿過DBR時，光強損失較為嚴重。帶寬約為810nmIR光難以從正面穿透DBR層。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供了一種背裂式裂片方法，其包括以下步驟：

將芯片通過背裂位放入機臺的載臺，IR光依次穿射PET膜、DBR、藍寶石襯底層、外延層ITO、SiO₂、SPV224白膜；

通過CCD獲取芯片的模板圖像，進行模板圖像保存時，背面圖像相對亮一些，達到機臺所要求的灰階，保存模板圖像，并完成建檔；

將IR光經過DBR背面穿過，DBR失去增強型反射膜的效果，光強損失減少，CCD接收到的光強相對較強，達到機臺識別模板的灰度要求，通過劈刀完成劈裂作業。

本發明具有以下有益效果：

1.裂片作業方面：背裂方式可以緩解由于科技日新月異，DBR增厚等方面給老機臺帶來無法作業的壓力，成功完成裂片作業；此外，對于芯片IR良率和AOI良率均未產生不良影響；

2.建檔方面：由于光源較弱，無法滿足機臺灰階要求，正裂位芯片無法完成建檔所需的模板圖像保存，而背裂位可以輕松完成參數檔建立；

3.選取背裂方式作業的芯片，擴張后，觀察效果顯微圖，外觀良好，參數經過仔細優化后，較少出現崩邊和裂碎等不良現象；

4.裂片速度上，并未更改馬達速度，粗對和精對刀數，故對裂片速度并未有影響。

當然，實施本發明的任一產品并不一定需要同時達到以上所述的所有優點。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例對本發明中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。

實施例

選取48層DBR芯片，由于機臺原因，裂片機臺難以觀測到芯片版圖，故此無法完成裂片作業，故此，采用背裂方式作業。