[發明專利]元件芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 201710082515.4
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN107180787B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 水野文二;置田尚吾;廣島滿;櫻井努;松原功幸
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L27/12;B23K26/364;B23K10/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

一種元件芯片及其制造方法。元件芯片的制造方法包括激光劃片工序，對具備第1層和第2層的基板的分割區域從第2層側照射激光，從而在分割區域形成具備露出第1層的露出部的開口，并且在包含露出部的第1層的表層部形成第1損傷區域，在第1損傷區域的附近且被第2層覆蓋的第1層的表層部形成第2損傷區域。而且，包括各向同性蝕刻工序，在激光劃片工序之后，通過使基板暴露于第1等離子體從而各向同性地蝕刻第1層，從而除去第1損傷區域和第2損傷區域。還包括等離子體切割工序，在各向同性蝕刻工序之后，在用支承構件支承了第2主面的狀態下，將基板暴露于第2等離子體，各向異性地蝕刻第1層，從而將基板分割為具備元件區域的多個元件芯片。

技術領域

本公開涉及包含激光劃片工序的元件芯片的制造方法以及元件芯片。

背景技術

如圖5A～C所示，元件芯片通過切割包含作為半導體層的第1層31和包含絕緣膜的第2層32的基板30來制造。基板30具備對基板30進行區劃的分割區域R11和由分割區域R11劃定的多個元件區域R12(圖5A)。通過除去基板30的分割區域R11，從而基板30被切割，形成多個元件芯片130。專利文獻1教導了利用激光L劃刻了分割區域R11之后(圖5B)，利用等離子體P進行蝕刻(圖5C)，從而切割基板30。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特表2013-535114號公報

發明內容

在激光劃片工序(圖5B)中，通常通過熱效應在基板30形成損傷區域DR。損傷區域DR由于熱傳播而形成得比照射激光的分割區域R11寬。因此，之后，即使通過等離子體蝕刻除去分割區域R11，在元件區域R12，即，在被切割的元件芯片130的端面也殘留損傷區域DR(圖5C)。在損傷區域DR中，在結晶紊亂或多結晶的情況下，會發生晶粒的粗大化。因此，尤其是殘留在第1層31的損傷區域DR，易成為第1層31解理的起點，會成為元件芯片130損傷的原因。也就是說，在該方法中，元件芯片130的抗彎強度容易降低。

本公開所涉及的發明的一方面涉及一種元件芯片的制造方法，包括：準備基板的工序、激光劃片工序、該激光劃片工序之后的各向同性蝕刻工序和各向同性蝕刻工序之后進行的等離子體切割工序。準備基板的工序，是準備具備第1主面以及第2主面、并且具備作為半導體層的第1層和包含形成在第1層的第1主面側的絕緣膜的第2層、并且具備多個元件區域和劃定所述元件區域的分割區域的基板的工序。激光劃片工序，是對分割區域從所述第1主面側照射激光，從而在分割區域形成具備露出第1層的露出部的開口，并且在包含露出部的所述第1層的表層部形成第1損傷區域，在第1損傷區域的附近且被第2層覆蓋的所述第1層的表層部形成第2損傷區域的工序。各向同性蝕刻工序，是在激光劃片工序之后，通過使基板暴露于第1等離子體從而各向同性地蝕刻第1層，從而除去第1損傷區域和第2損傷區域的工序。等離子體切割工序，是在各向同性蝕刻工序之后，在用支承構件支承了第2主面的狀態下將基板暴露于第2等離子體，從而各向異性地蝕刻第1層，從而將基板分割為具備元件區域的多個元件芯片的工序。

本公開的另一方面涉及一種元件芯片，具備第1層和第2層，所述第1層是半導體層并且具備層疊面和層疊面的相反側的面，所述第2層包含層疊在所述層疊面上的絕緣膜，所述元件芯片具備形成在所述第1層的所述層疊面側的周緣部的凹陷。

發明效果

根據本公開所涉及的發明，因為減少解理的起點，所以元件芯片的抗彎強度提高。

附圖說明

圖1A是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1B是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1C是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1D是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。