[發(fā)明專利]元件芯片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710082515.4
• 申請(qǐng)日: 2017-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN107180787B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 水野文二;置田尚吾;廣島滿;櫻井努;松原功幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78;H01L27/12;B23K26/364;B23K10/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

1.一種元件芯片的制造方法，包括：

準(zhǔn)備基板的工序，所述基板具備第1主面以及第2主面，并且具備作為半導(dǎo)體層的第1層和包含形成在所述第1層的所述第1主面一側(cè)的絕緣膜的第2層，所述基板具備多個(gè)元件區(qū)域和劃定所述元件區(qū)域的分割區(qū)域；

激光劃片工序，對(duì)所述分割區(qū)域從所述第1主面一側(cè)照射激光，從而在所述分割區(qū)域形成具備露出所述第1層的露出部的開口，并且在包含所述露出部的所述第1層的表層部形成第1損傷區(qū)域，在所述第1損傷區(qū)域的附近且被所述第2層覆蓋的所述第1層的表層部形成第2損傷區(qū)域；

各向同性蝕刻工序，在所述激光劃片工序之后，通過(guò)使所述基板暴露于第1等離子體從而各向同性地蝕刻所述第1層，從而除去所述第1損傷區(qū)域和所述第2損傷區(qū)域，并且在所述開口附近的所述第2層的下方形成凹陷；和

等離子體切割工序，在所述各向同性蝕刻工序之后，在用支承構(gòu)件支承了所述第2主面的狀態(tài)下，將所述基板暴露于第2等離子體，從而各向異性地蝕刻所述第1層，從而將所述基板分割為具備所述元件區(qū)域的多個(gè)元件芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件芯片的制造方法，

在所述各向同性蝕刻工序中，將包含六氟化硫的工藝氣體作為原料來(lái)產(chǎn)生所述第1等離子體。

3.一種元件芯片，具備第1層和第2層，所述第1層是半導(dǎo)體層并且具備層疊面和層疊面的相反側(cè)的面，所述第2層包含層疊在所述層疊面上的絕緣膜，

所述元件芯片具備形成在所述第1層的所述層疊面一側(cè)的周緣部的凹陷，

所述凹陷形成于所述第2層的正下方。