[發明專利]頂發射型OLED顯示器件的制作方法及結構

有效

• 申請號: 201710081873.3
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN106803547B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 郝鵬;張育楠
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種頂發射型OLED顯示器件的制作方法及結構。該頂發射型OLED顯示器件的制作方法在封裝蓋板(5)上對應頂發射型OLED(3)的非發光區域(A2)的部分制備輔助電極(7)，在所述輔助電極(7)上涂布納米金球(9)，對組封裝蓋板(5)與TFT陣列基板(1)并進行封裝后，納米金球(9)導通輔助電極(7)與頂發射型OLED(3)的透明陰極(33)，能夠避免輔助電極制程對有機發光材料層與陰極的損傷，增強陰極的導電率，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種頂發射型OLED顯示器件的制作方法及結構。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器件以其自發光、全固態、高對比度等優點，成為近年來最具潛力的新型顯示器件。

目前應用OLED的產品主要分在小尺寸的手機、平板電腦(Pad)屏幕和較大尺寸的電視(TV)屏幕等。

在大尺寸OLED顯示器件應用方向，市面上的產品大多采用底發射型(Bottom)結構，將OLED的陰極采用較厚的金屬層。但隨著分辨率的增長，Bottom OLED會受到開口率的限制，難以實現高分辨率。越來越多的從業者將精力轉向頂發射型(Top)OLED的開發，以期望實現更高的分辨率。

Top OLED的陰極使用較薄的透明金屬，實現與屏幕邊緣電路的連接。由于需兼顧透光率，透明陰極厚度較薄，導致導電能力差。在屏幕尺寸較大時，屏幕中心區域由于離電極接口較遠，長距離的電流傳輸使其驅動電壓上升較大，易造成屏幕邊緣和屏幕中心的OLED元件的驅動電壓差距大，即有電壓降(IR drop)的問題，僅依靠對驅動電路做修正，難以有效改善IR drop，屏幕會出現中心亮度較暗的缺陷。因此，需對Top OLED的陰極進行改善，提升導電率，縮小驅動電壓的差距。

對Top OLED的陰極進行改善的方法之一是在Top OLED的透明金屬陰極之上增設輔助電極或輔助導線，來增加陰極層的導電率，以減少IR drop所帶來的問題。但是，在透明金屬陰極上直接制作輔助電極受到多個局限因素的影響：首先，用做透明陰極的金屬材料極易被氧化，需隔絕水、氧及其它氧化性強的物質的污染；其次，OLED中的有機發光材料層在較高溫度下會變質，直接影響到OLED器件的表現，其耐受制程溫度一般不超過80℃。而目前業界聚焦的解決方案，其一是增設類似于氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)的透明電極，其制程溫度較高，一般超過150℃，會破壞OLED中的有機發光材料層；另一種是采用納米銀線，但同樣會受到納米銀線燒結溫度較高的困擾。雖然目前已有室溫燒結的納米銀漿問世，但納米銀漿的溶質一般采用水基(為便于蒸發去除)，會將OLED的透明陰極材料氧化。

發明內容

本發明的目的在于提供一種頂發射型OLED顯示器件的制作方法，能夠避免現有輔助電極制程對有機發光材料層與陰極的損傷，增強陰極的導電率，降低大尺寸OLED顯示器件的IR drop。

本發明的另一目的在于提供一種頂發射型OLED顯示器件結構，其陰極導電性能較好，IR drop較低。

為實現上述目的，本發明首先提供一種頂發射型OLED顯示器件的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供TFT陣列基板；

步驟S2、在所述TFT陣列基板上制備出呈矩陣式分布的多個頂發射型OLED；

每一頂發射型OLED包括自下至上依次層疊的陽極、有機發光材料層、及透明陰極；每一頂發射型OLED具有發光區域、及除發光區域以外的及非發光區域；

步驟S3、提供封裝蓋板，在封裝蓋板上對應頂發射型OLED的非發光區域的部分制備輔助電極；

步驟S4、在所述輔助電極上涂布單層納米金球；