[發明專利]頂發射型OLED顯示器件的制作方法及結構

有效

• 申請號: 201710081873.3
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN106803547B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 郝鵬;張育楠
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種頂發射型OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供TFT陣列基板(1)；

步驟S2、在所述TFT陣列基板(1)上制備出呈矩陣式分布的多個頂發射型OLED(3)；

每一頂發射型OLED(3)包括自下至上依次層疊的陽極(31)、有機發光材料層(32)、及透明陰極(33)；每一頂發射型OLED(3)具有發光區域(A1)、及除發光區域(A1)以外的非發光區域(A2)；

步驟S3、提供封裝蓋板(5)，在封裝蓋板(5)上對應頂發射型OLED(3)的非發光區域(A2)的部分制備輔助電極(7)；

步驟S4、在所述輔助電極(7)上涂布單層納米金球(9)；

步驟S5、使制備在封裝蓋板(5)上的輔助電極(7)與納米金球(9)朝向TFT陣列基板(1)，對組封裝蓋板(5)與TFT陣列基板(1)并進行封裝，使得納米金球(9)導通輔助電極(7)與頂發射型OLED(3)的透明陰極(33)；

所述TFT陣列基板(1)包括呈矩陣式分布的多個開關TFT(T1)、與開關TFT(T1)對應連接的多個驅動TFT(T2)、以及覆蓋開關TFT(T1)與驅動TFT(T2)的平坦層(18)；頂發射型OLED(3)的陽極(31)制備在平坦層(18)上并與驅動TFT(T2)接觸；所述步驟S4在輔助電極(7)上對應避開開關TFT(T1)與驅動TFT(T2)的位置涂布單層納米金球(9)。

2.如權利要求1所述的頂發射型OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S2采用蒸鍍工藝或噴墨打印工藝制備頂發射型OLED(3)。

3.如權利要求1所述的頂發射型OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S2還包括制備位于陽極(31)與有機發光材料層(32)之間、及平坦層(18)與有機發光材料層(32)之間的像素定義層(2)；所述像素定義層(2)具有暴露出部分陽極(31)的過孔(21)，所述頂發射型OLED(3)對應于所述過孔(21)的區域為發光區域(A1)，其它區域為非發光區域(A2)。

4.如權利要求1所述的頂發射型OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S3采用黃光制程制備金屬線，以所述金屬線作為輔助電極(7)；或者采用絲網印刷納米銀漿，以納米銀漿作為輔助電極(7)；再或者采用噴墨打印納米銀漿，以納米銀漿作為輔助電極(7)。

5.如權利要求1所述的頂發射型OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述納米金球(9)包括塑料微粒子(91)、鍍在塑料微粒子(91)外表面的鎳層(92)、及鍍在鎳層(92)外表面的金層(93)；所述步驟S4將納米金球(9)均勻混合于樹脂溶劑或封裝吸水材料中進行涂布。

6.一種頂發射型OLED顯示器件結構，其特征在于，包括：

TFT陣列基板(1)；

設在所述TFT陣列基板(1)上的呈矩陣式分布的多個頂發射型OLED(3)；每一頂發射型OLED(3)包括自下至上依次層疊的陽極(31)、有機發光材料層(32)、及透明陰極(33)；每一頂發射型OLED(3)具有發光區域(A1)、及除發光區域(A1)以外的非發光區域(A2)；

與TFT陣列基板(1)對組的封裝蓋板(5)；

于封裝蓋板(5)上對應頂發射型OLED(3)的非發光區域(A2)的部分設置的輔助電極(7)；

以及涂布在所述輔助電極(7)上的單層納米金球(9)；

所述納米金球(9)導通輔助電極(7)與頂發射型OLED(3)的透明陰極(33)；

所述TFT陣列基板(1)包括呈矩陣式分布的多個開關TFT(T1)、與開關TFT(T1)對應連接的多個驅動TFT(T2)、以及覆蓋開關TFT(T1)與驅動TFT(T2)的平坦層(18)；頂發射型OLED(3)的陽極(31)制備在平坦層(18)上并與驅動TFT(T2)接觸；所述納米金球(9)涂布在輔助電極(7)上對應避開開關TFT(T1)與驅動TFT(T2)的位置。