[發明專利]基板載置臺和基板處理裝置

在審

• 申請號: 201710080885.4
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN107086200A
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 佐佐木芳彥;南雅人;佐佐木和男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及用于載置基板的基板載置臺和使用其的基板處理裝置。

背景技術

在平板顯示器(FPD)的制造過程中，對被處理基板進行蝕刻、濺射、CVD(化學氣相沉積)等的處理。

作為實施這樣的處理的基板處理裝置已知有在配置于腔室(處理容器)內的基板載置臺載置被處理基板，在將處理容器內保持為真空的狀態下，在腔室內生成等離子體來對被處理基板實施等離子體處理的裝置。

作為這樣的基板處理裝置的基板載置臺，已知有具有基體和設置在其之上的靜電吸盤的基板載置臺。靜電吸盤包括由陶瓷噴鍍覆膜形成的電介質層和設置在其中的吸附電極，通過對吸附電極施加直流電壓，利用靜電吸附力例如庫倫力、約翰遜-拉貝克力(Johnsen-Rahbeck force)對被處理基板進行吸附固定。

歷來，作為基體多使用鋁，作為電介質層多使用氧化鋁，但是鋁的線膨脹系數為23.8×10^-6/℃，與此相對，氧化鋁的線膨脹系數為6.4×10^-6/℃，因等離子體等的熱而基板載置臺的溫度上升時，對電介質層施加較大的壓力，有可能在電介質層產生龜裂、剝離。特別是，在大型的FPD基板用的載置臺中這樣的問題變得顯著。

因此，提案有利用具有與基體的線膨脹系數的差的絕對值為14×10^-6/℃以下的線膨脹系數的陶瓷噴鍍膜形成電介質層，防止這樣的電介質層的龜裂的技術(專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：專利第4994121號公報

發明內容

發明要解決的課題

但是，作為對FPD基板的處理，存在成膜處理等高溫處理，但是在具有靜電吸盤的基板載置臺中，其溫度超過120℃時，基于專利文獻1的技術僅調整靜電吸盤的電介質層和基體的熱膨脹差的情況下，構成電介質層的陶瓷噴鍍覆膜不能追隨基體的伸展，難以有效地防止電介質層的龜裂、剝離。

另一方面，在作為高溫處理進行化學蒸鍍(CVD)的成膜裝置中，存在使用沒有采用靜電吸盤的結構的基板載置臺的情況，但是由于沒有吸附基板的結構，因此在基板與載置臺表面之間產生間隙，難以高精度地對基板進行溫度控制。另外，還存在使用對基板機械地夾緊的機構的情況，但是由于僅是基板的外周部的夾緊，所以在基板的中央部殘留間隙，仍然難以進行基板的溫度控制。

因此，本發明的課題在于提供一種具有靜電吸盤的基板載置臺和使用其的基板處理裝置，即使在超過120℃的溫度下，在靜電吸盤的由陶瓷噴鍍覆膜形成的電介質層也難以產生龜裂、剝離。

用于解決課題的手段

為了解決上述課題，本發明的第1觀點提供一種基板載置臺，在處理容器內對被處理基板實施處理的基板處理裝置中用于載置基板，在超過120℃的溫度下使用，所述基板載置臺的特征在于，包括：金屬制的基體；和吸附被處理基板的靜電吸盤，其具有設置在上述基體之上的、由陶瓷噴鍍覆膜形成的電介質層和設置在上述電介質層的內部的吸附電極，上述基體的至少與上述電介質層接觸的部分由馬氏體不銹鋼或者鐵素體不銹鋼構成。

在上述第1觀點中，上述基板載置臺還包括經由上述基體和上述靜電吸盤將上述靜電吸盤上的被處理基板溫度調節成規定溫度的溫度調節機構，能夠利用上述溫度調節機構使上述基板載置臺成為超過120℃的溫度。在該情況下，上述基體能夠采用如下所述的構造，即，包括：與上述靜電吸盤的上述電介質層接觸的上部板；和下部板，其設置在上述上部板之下，由上述溫度調節機構調節溫度，至少上述上部板由馬氏體不銹鋼或者鐵素體不銹鋼構成。

本發明的第2觀點提供一種基板載置臺，在處理容器內對被處理基板實施處理的基板處理裝置中用于載置基板，在超過120℃的溫度下使用，所述基板載置臺的特征在于，包括：金屬制的基體；和吸附被處理基板的靜電吸盤，其具有設置在上述基體之上的、由陶瓷噴鍍覆膜形成的電介質層和設置在上述電介質層的內部的吸附電極，在使構成上述電介質層的上述陶瓷噴鍍覆膜的楊氏模量為E、上述基體的至少與上述電介質層接觸的部分與構成上述電介質層的上述陶瓷噴鍍覆膜的線膨脹系數差為Δα的情況下，滿足E×Δα≤2×10⁶[(N/m²)/℃]。