[發明專利]基板載置臺和基板處理裝置

在審

• 申請號: 201710080885.4
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN107086200A
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 佐佐木芳彥;南雅人;佐佐木和男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基板載置臺，在基板處理裝置中用于載置基板，在超過120℃的溫度下使用，其中，所述基板處理裝置在處理容器內對被處理基板實施處理，所述基板載置臺的特征在于，包括：

金屬制的基體；和

吸附被處理基板的靜電吸盤，其具有設置在所述基體之上的、由陶瓷噴鍍覆膜形成的電介質層和設置在所述電介質層的內部的吸附電極，

所述基體的至少與所述電介質層接觸的部分由馬氏體不銹鋼或者鐵素體不銹鋼構成。

2.如權利要求1所述的基板載置臺，其特征在于：

還具有經由所述基體和所述靜電吸盤將所述靜電吸盤上的被處理基板的溫度調節成規定溫度的溫度調節機構，利用所述溫度調節機構使所述基板載置臺成為超過120℃的溫度。

3.如權利要求2所述的基板載置臺，其特征在于：

所述基體包括：與所述靜電吸盤的所述電介質層接觸的上部板；和下部板，其設置在所述上部板之下，由所述溫度調節機構調節溫度，至少所述上部板由馬氏體不銹鋼或者鐵素體不銹鋼構成。

4.一種基板載置臺，在基板處理裝置中用于載置基板，在超過120℃的溫度下使用，其中，所述基板處理裝置在處理容器內對被處理基板實施處理，所述基板載置臺的特征在于，包括：

金屬制的基體；和

吸附被處理基板的靜電吸盤，其具有設置在所述基體之上的、由陶瓷噴鍍覆膜形成的電介質層和設置在所述電介質層的內部的吸附電極，

在設構成所述電介質層的所述陶瓷噴鍍覆膜的楊氏模量為E、所述基體的至少與所述電介質層接觸的部分與構成所述電介質層的所述陶瓷噴鍍覆膜的線膨脹系數差為Δα的情況下，滿足E×Δα≤2×10⁶[(N/m²)/℃]。

5.如權利要求4所述的基板載置臺，其特征在于：

還具有經由所述基體和所述靜電吸盤將所述靜電吸盤上的被處理基板的溫度調節成規定溫度的溫度調節機構，利用所述溫度調節機構使所述基板載置臺成為超過120℃的溫度。

6.如權利要求5所述的基板載置臺，其特征在于：

所述基體包括：與所述靜電吸盤的所述電介質層接觸的上部板；和下部板，其設置在所述上部板之下，由所述溫度調節機構調節溫度，在設所述上部板與構成所述電介質層的所述陶瓷噴鍍覆膜的線膨脹系數差為Δα的情況下，滿足E×Δα≤2×10⁶[(N/m²)/℃]。

7.如權利要求1至6中任一項所述的基板載置臺，其特征在于：

構成所述電介質層的陶瓷噴鍍覆膜是選自Al₂O₃(氧化鋁)、MgO·SiO₂(滑石)、2MgO·SiO₂(鎂橄欖石)、YF₃和Y₂O₃(氧化釔)中的至少一種。

8.如權利要求1至6中任一項所述的基板載置臺，其特征在于：

構成所述電介質層的陶瓷噴鍍覆膜選自MgO·SiO₂(滑石)、2MgO·SiO₂(鎂橄欖石)、YF₃和Y₂O₃(氧化釔)。

9.如權利要求1至6中任一項所述的基板載置臺，其特征在于：

構成所述電介質層的陶瓷噴鍍覆膜是作為將進行噴鍍的粉末的配比任意改變得到的混合體的Y₂O₃·Al₂O₃·SiO₂和Y₂O₃·Al₂O₃·SiO₂·Si₃N₄的至少一種。