[發明專利]發射光的半導體器件

有效

• 申請號: 201710080866.1
• 申請日: 2012-03-07
• 公開（公告）號: CN107039564B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 馬蒂亞斯·扎巴蒂爾;安德烈亞斯·普洛斯爾;漢斯-于爾根·盧高爾;亞歷山大·林科夫;帕特里克·羅德
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;李建航

提出一種發射光的半導體器件，其具有：第一半導體本體(1)，所述第一半導體本體包括有源區(11)，在發射光的半導體器件工作時在所述有源區中產生電磁輻射，所述電磁輻射至少部分地穿過輻射出射面(1a)而離開第一半導體本體(1)；以及第二半導體本體(2)，所述第二半導體本體適合于將電磁輻射轉換為經轉換的具有更小波長的電磁輻射，其中第一半導體本體(1)和第二半導體本體(2)相互分開制成，第二半導體本體(2)是電無源的，并且第二半導體本體(2)與輻射出射面(1a)直接接觸，并且在那里無連接劑地固定在第一半導體本體(1)上。

本發明專利申請是申請日為2012年3月7日、申請號為201280014614.4、發明名稱為“發射光的半導體器件”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種用于發射光的半導體器件。

背景技術

文獻EP 0486052 A1描述一種發射光的半導體器件。

發明內容

待實現的目的在于，提出一種發射光的半導體器件，所述發射光的半導體器件具有產生光的改進的效率。

根據發射光的半導體器件的至少一個實施形式，發射光的半導體器件包括第一半導體本體。第一半導體本體例如外延地沉積到生長載體上。在此，第一半導體本體例如基于氮化物化合物半導體材料。

第一半導體本體包括至少一個有源區，在發射光的半導體器件工作時，在所述有源區中產生電磁輻射。所述電磁輻射例如能夠是UV輻射和/或可見光。在至少一個有源區中產生的電磁輻射至少部分地穿過輻射出射面而離開第一半導體本體。

輻射出射面例如是第一半導體本體的主面的一部分。例如，輻射出射面由半導體本體的背離連接載體或電路板設置的外面構成，發射光的半導體器件安裝在所述連接載體或電路板上。例如，第一半導體本體是發光二極管。

根據發射光的半導體器件的至少一個實施形式，發射光的半導體器件包括第二半導體本體，所述第二半導體本體適合于轉換在第一半導體本體的至少一個有源區中產生的電磁輻射。在此，穿過輻射出射面而離開第一半導體本體的電磁輻射至少部分地轉換為具有更大波長的輻射。也就是說，第二半導體本體適合于所謂的“向下轉換(down-conversion)”。例如，將第二半導體本體由于其天然的帶隙用作為轉換器。然而，也可行的是，第二半導體本體包括由在第一半導體本體中所產生的電磁輻射光泵浦的至少一個pn結、至少一個量子阱結構或至少一個多量子阱結構。

第二半導體本體例如也能夠借助于將第二半導體本體外延生長到生長載體上來制造。

根據發射光的半導體器件的至少一個實施形式，第一半導體本體和第二半導體本體相互分開地制成。也就是說，第二半導體本體尤其不外延地生長到第一半導體本體的輻射出射面上。更確切地說，能夠將第一半導體本體和第二半導體本體相互分開地，例如外延地制造，并且隨后彼此連接。將第一半導體本體和第二半導體本體相互分開地制成的特征是能在已制成的發射光的半導體器件上證實的具體特征。也就是說，所述發射光的半導體器件與第二半導體本體外延地生長在第一半導體本體上的發射光的半導體器件明顯不同。

根據發射光的半導體器件的至少一個實施形式，第二半導體本體是電無源的。也就是說，被轉換的電磁輻射在第二半導體本體中的產生不由于第二半導體本體的電泵浦而進行，而是將第二半導體本體通過由第一半導體本體在工作時產生的電磁輻射而光泵浦。因此，發射光的半導體器件例如不具有電端子，借助于所述電端子接觸第二半導體本體。

根據發射光的半導體器件的至少一個實施形式，第二半導體本體和第一半導體本體彼此直接接觸。也就是說，第二半導體本體例如與第一半導體本體的輻射出射面直接接觸并且在那里無連接劑地固定在第一半導體本體上。