[發(fā)明專利]發(fā)射光的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710080866.1
• 申請(qǐng)日: 2012-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN107039564B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬蒂亞斯·扎巴蒂爾;安德烈亞斯·普洛斯?fàn)?/a>;漢斯-于爾根·盧高爾;亞歷山大·林科夫;帕特里克·羅德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;李建航

1.一種發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，所述發(fā)射光的半導(dǎo)體器件具有：

第一半導(dǎo)體本體，所述第一半導(dǎo)體本體包括有源區(qū)，在所述發(fā)射光的半導(dǎo)體器件工作時(shí)，在所述有源區(qū)中產(chǎn)生電磁輻射，所述電磁輻射至少部分地穿過輻射出射面而離開所述第一半導(dǎo)體本體，以及

第二半導(dǎo)體本體，所述第二半導(dǎo)體本體適合于將所述電磁輻射轉(zhuǎn)換為經(jīng)轉(zhuǎn)換的具有更大波長(zhǎng)的電磁輻射，其中

其中所述第二半導(dǎo)體本體是電無源的，

其中所述第二半導(dǎo)體本體與所述輻射出射面直接接觸，并且在那里無連接固定在所述第一半導(dǎo)體本體上，

其中所述輻射出射面和所述第二半導(dǎo)體本體的朝向所述輻射出射面的外面分別具有最高2nm的均方根粗糙度值，以及

其中所述第二半導(dǎo)體本體基于III-V族化合物半導(dǎo)體材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述輻射出射面和所述第二半導(dǎo)體本體的朝向所述輻射出射面的所述外面分別具有最高0.2nm的均方根粗糙度值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第一半導(dǎo)體本體基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第一半導(dǎo)體本體的電接觸僅從所述第一半導(dǎo)體本體的背離所述第二半導(dǎo)體本體的側(cè)進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第二半導(dǎo)體本體包括至少一個(gè)多量子阱結(jié)構(gòu)，所述多量子阱結(jié)構(gòu)由在所述第一半導(dǎo)體本體中所產(chǎn)生的電磁輻射進(jìn)行光泵浦。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第二半導(dǎo)體本體和所述第一半導(dǎo)體本體具有相同的光學(xué)折射率。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第二半導(dǎo)體本體基于Al_nGa_mIn_1-n-mN或Al_nGa_mIn_1-n-mAs或Al_nGa_mIn_1-n-mP材料體系，其中0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第二半導(dǎo)體本體具有最高6μm的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第二半導(dǎo)體本體具有至少為2.4的折射率。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述第一半導(dǎo)體本體和所述第二半導(dǎo)體本體相互分開地制成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件在工作時(shí)產(chǎn)生暖白光。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射光的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件在工作時(shí)產(chǎn)生冷白光。