[發明專利]基板保持狀態異常的檢查區域自動決定方法及處理裝置有效
申請號: | 201710080266.5 | 申請日: | 2017-02-15 |
公開(公告)號: | CN107093570B | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
發明(設計)人: | 佐野洋 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 保持 狀態 異常 檢查 區域 自動 決定 方法 處理 裝置 | ||
檢查基板保持狀態異常區域自動決定方法,通過檢測基板保持部的旋轉開始前后的圖像中的濃度變化,在檢查基板的保持狀態的異常時自動地決定圖像中特別重視的檢查區域,可減輕工作負擔。對于基板保持部的圖像中位于被基板保持部適當地保持時的基板的上方的、用于檢查基板的保持狀態的異常的檢查區域,確定被基板保持部正常地保持的狀態下的基板的上端面,根據確定的基板的上端面的位置來決定檢查區域的上下方向的位置,對決定了上下方向的位置的候選檢查區域,求出基板保持部的旋轉開始時的濃度,并求出與基板保持部的初始狀態下的同一區域的濃度之間的差分絕對值的積分值、即差分圖像積分值,根據求出的差分圖像積分值來決定檢查區域的水平位置。
技術領域
本發明涉及在半導體制造裝置等中將基板固定而進行旋轉處理的情況下,檢查基板是否被基板保持部適當地保持的基板保持檢查方法以及使用該基板保持檢查方法進行基板處理的基板處理裝置,尤其涉及檢查基板保持狀態異常的檢查區域的自動決定方法。
背景技術
作為在半導體制造裝置等中對晶片等半導體基板(以下,也簡稱為基板)實施清洗處理、涂敷處理等各種處理的技術,有一邊借助基板保持構件將基板保持為大致水平姿態進行旋轉,一邊供給處理液進行處理的基板處理裝置。對于該基板處理裝置,為了能夠使基板高速旋轉,如圖16所示,在與基板W的外周形狀對應的圓周上隔開適當的間隔具有多個基板保持構件。該基板保持構件包括:用于將基板保持為固定的狀態的固定保持構件101以及用于從裝置拆卸基板W時進行開閉的開閉保持構件102。
固定保持構件101具有:固定于基座103的固定軸101a以及固定于固定軸101a的具有鼓狀形狀且以側面的凹部支承基板W的周緣部的固定件101b。另外,開閉保持構件102包括:固定于基座103的旋轉軸102a以及局部形成有切口102c的鼓狀形狀的、能夠相對于旋轉軸102a偏心轉動地固定的開閉件102b。
而且,將基板W從裝置拆卸時,使該開閉件102b沿旋轉軸102a周圍轉動而使開閉件102b向遠離基板W的方向移動,并且使切口部102c成為與基板W相對的狀態,從而成為基板保持構件相對于基板W的周緣部的抵接被解除的狀態。另一方面,在將基板W固定于裝置時,使開閉件102b沿旋轉軸102a周圍轉動而使開閉件102b向靠近基板W的方向移動,并且使切口部102c移動至不與基板W相對的位置。由此,使全部基板保持構件抵接于基板W的周緣部,夾持基板W而保持為水平姿態。
然而,由于基板W搭在開閉件102b的凹部的斜面、固定件101b的凹部的斜面等,存在被基板保持構件保持的基板W的保持變得不充分或者被保持為基板W相對于旋轉軸傾斜的狀態的情況。在這樣的情況下開始基板W的處理時,可能產生基板W由于旋轉從基板保持構件脫落而破損或者損壞裝置自身等問題。為避免這樣的問題,提出了如下的檢查裝置和檢查方法(例如,參照專利文獻1):其用照相機拍攝放置于旋轉臺的圓盤狀的被測定物的至少外周部,對拍攝的圖像信號進行處理,將圖像信息與預先存儲在存儲部的標準圖像信息進行比較來檢查位置。
另外,作為這樣的裝置,還有如下的系統:通過檢測基板W和基板保持構件的旋轉開始及其之后的拍攝圖像的一部分區域的濃度(或亮度。對下面的“濃度”也相同)變化,檢查基板的保持狀態。將此情況下的拍攝圖像的例子示于圖17。圖17中,對用于高靈敏度地判定基板W和基板保持構件的旋轉開始的旋轉開始判定區域121以及用于高靈敏度地判定基板的保持狀態的異常的夾持異常判定區域122進行定義,尤其從旋轉開始判定區域121和夾持異常判定區域122的濃度變化檢測基板W和基板保持構件的旋轉開始以及基板W的保持狀態的異常。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造