[發(fā)明專利]一種解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710079379.3
• 申請(qǐng)日: 2017-02-14
• 公開（公告）號(hào): CN106803509B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王卉;曹子貴;陳宏;徐濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11526
• 分類號(hào): H01L27/11526;H01L27/11573
• 代理公司: 31237 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 屈蘅

本發(fā)明提供了一種解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法，包括：第一步驟：執(zhí)行分柵快閃存儲(chǔ)器的制造工藝，直到利用邏輯柵極光阻刻蝕邏輯柵極的步驟；第二步驟：對(duì)邏輯柵極光阻進(jìn)行灰化及濕法剝離處理，暫不進(jìn)行邏輯區(qū)柵極硬掩膜濕法去除；第三步驟，繼續(xù)執(zhí)行分柵快閃存儲(chǔ)器的制造工藝，直到字線刻蝕；第四步驟：濕法去除邏輯柵極硬掩膜；其中，在第二步驟中在濕法剝離處理中可以使用稀氟氫酸。本發(fā)明將原來位于邏輯柵刻蝕之后的“濕法去除邏輯硬掩膜”工藝移動(dòng)到字線刻蝕之后，避免了該濕法刻蝕對(duì)字線保護(hù)氧化層的影響，改善了字線形貌，減少了編程串?dāng)_失效。同時(shí)，邏輯柵極光阻濕法去除可以使用稀氟氫酸，避免了光阻殘留等缺陷問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及分柵快閃存儲(chǔ)器制造領(lǐng)域；而且，更具體地說，本發(fā)明涉及一種解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法。

背景技術(shù)

閃存以其便捷，存儲(chǔ)密度高，可靠性好等優(yōu)點(diǎn)成為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中研究的熱點(diǎn)。從二十世紀(jì)八十年代第一個(gè)閃存產(chǎn)品問世以來，隨著技術(shù)的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)的需求，閃存被廣泛用于手機(jī)，筆記本，掌上電腦和U盤等移動(dòng)和通訊設(shè)備中。

閃存為一種非易變性存儲(chǔ)器，其運(yùn)作原理是通過改變晶體管或存儲(chǔ)單元的臨界電壓來控制門極通道的開關(guān)以達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的目的，使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不會(huì)因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲(chǔ)器的一種特殊結(jié)構(gòu)。如今閃存已經(jīng)占據(jù)了非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的大部分市場(chǎng)份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

一般而言，閃存為分柵結(jié)構(gòu)或堆疊柵結(jié)構(gòu)或兩種結(jié)構(gòu)的組合。分柵式閃存由于其特殊的結(jié)構(gòu)，相比堆疊柵閃存在編程和擦除的時(shí)候都體現(xiàn)出其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，因此分柵式結(jié)構(gòu)由于具有高的編程效率，字線的結(jié)構(gòu)可以避免“過擦除”等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用尤為廣泛。

分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效(punch through disturb by column，PTC)常見于晶圓邊緣，失效位處于閃存陣列邊緣。這種失效常常是因?yàn)樽志€(word line poly)高度過低，導(dǎo)致后續(xù)的離子注入穿透字線進(jìn)入溝道，使得字線晶體管產(chǎn)生穿通(punch through)失效。

由此，希望能夠提供一種能夠解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法，包括：

第一步驟：執(zhí)行分柵快閃存儲(chǔ)器的制造工藝，直到利用邏輯柵極光阻刻蝕邏輯柵極的步驟；

第二步驟：對(duì)邏輯柵極光阻進(jìn)行灰化及濕法剝離處理；

第三步驟：繼續(xù)執(zhí)行分柵快閃存儲(chǔ)器的制造工藝，直到字線刻蝕完成；

第四步驟：濕法去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法中，在第二步驟中，保留邏輯柵極硬掩膜，避免濕法去除邏輯柵極硬掩膜對(duì)閃存區(qū)字線刻蝕的影響。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法中，在第四步驟中，使用稀氟氫酸來去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法中，在第四步驟中，使用磷酸來去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法中，在第四步驟中，使用熱磷酸來去除邏輯柵極硬掩膜。

優(yōu)選地，在所述解決分柵快閃存儲(chǔ)器編程串?dāng)_失效的工藝制造方法中，邏輯柵極硬掩膜的成分為SiN。