[發明專利]一種解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法有效
| 申請號： | 201710079379.3 | 申請日： | 2017-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN106803509B | 公開（公告）日： | 2019-12-24 |
| 發明（設計）人： | 王卉;曹子貴;陳宏;徐濤 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11526 | 分類號： | H01L27/11526;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 解決 分柵快 閃存 編程 失效 工藝 制造 方法 | ||
1.一種解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于包括：
第一步驟：執行分柵快閃存儲器的制造工藝，直到利用邏輯柵極光阻刻蝕邏輯柵極的步驟；
第二步驟：對邏輯柵極光阻進行灰化及濕法剝離處理；
第三步驟：繼續執行分柵快閃存儲器的制造工藝，直到字線刻蝕完成；在第三步驟中，字線刻蝕包括保護氧化層刻蝕；字線保護氧化層越厚，字線會比較高，后續的位線重摻雜注入就不會影響字線下的溝道，使編程串擾失效得以改善；
第四步驟：濕法去除邏輯柵極硬掩膜；
在第二步驟中，保留邏輯柵極硬掩膜，避免濕法去除邏輯柵極硬掩膜對閃存區字線刻蝕的影響。
2.根據權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于，在第四步驟中，使用稀氟氫酸來去除邏輯柵極硬掩膜。
3.根據權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于，在第四步驟中，使用磷酸來去除邏輯柵極硬掩膜。
4.根據權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于，在第四步驟中，使用熱磷酸來去除邏輯柵極硬掩膜。
5.根據權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于，邏輯柵極硬掩膜的成分為SiN。
6.根據權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于，邏輯柵極硬掩膜的成分為SiON。
7.根據權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于，邏輯柵極硬掩膜的成分為二氧化硅SiO2。
8.根據權利要求1所述的解決分柵快閃存儲器編程串擾失效的工藝制造方法，其特征在于，所述分柵快閃存儲器包括閃存區和邏輯區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
