[發(fā)明專(zhuān)利]全無(wú)機(jī)QLED顯示器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710078219.7
• 申請(qǐng)日: 2017-02-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106784199B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉代明;宋志成;劉衛(wèi)東
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 青島海信電器股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/26;H01L33/48
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 邢雪紅;喬彬

一種全無(wú)機(jī)QLED顯示器件及其制備方法，該全無(wú)機(jī)QLED顯示器件包括：陽(yáng)極，陰極和位于該陽(yáng)極與該陰極之間的空穴傳輸層、電子傳輸層以及量子點(diǎn)發(fā)光層；該空穴傳輸層是由位于該陽(yáng)極上的第一空穴傳輸層和位于該第一空穴傳輸層上的第二空穴傳輸層組成，該第一空穴傳輸層的材料為氧化鎢，該第二空穴傳輸層的材料為氧化亞銅。本發(fā)明能夠大大提高器件的穩(wěn)定性和發(fā)光亮度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電致發(fā)光器件，尤其涉及QLED顯示器件。

背景技術(shù)

QLED顯示器件(Quantum dot light-emitting diode，量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管)是一種電致發(fā)光器件。在外界電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，空穴和電子克服界面障礙分別進(jìn)入量子點(diǎn)發(fā)光層的價(jià)帶能級(jí)和導(dǎo)帶能級(jí)，當(dāng)從激發(fā)態(tài)而回到穩(wěn)定的基態(tài)時(shí)，釋放出光子。與QD-BEF(Quantum Dots-Brightness Enhancement Film，量子點(diǎn)增量膜)和QD-CF(Quantum Dots-Color Filter，量子點(diǎn)彩色濾光片)不同，QLED顯示器件是電驅(qū)動(dòng)量子點(diǎn)自身發(fā)光，并通過(guò)混色產(chǎn)生圖像，不再需要液晶、彩膜，也省去了背光單元。

QLED顯示器件與OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)電激光顯示)顯示器件的發(fā)光原理和結(jié)構(gòu)組成有一定的相似性，但在材料屬性和性能方面，QLED顯示器件相比于OLED顯示器件更具優(yōu)勢(shì)：量子點(diǎn)晶體為非有機(jī)物，性質(zhì)更穩(wěn)定；工藝流程相對(duì)簡(jiǎn)單；量子點(diǎn)發(fā)光的窄光譜特性；更低能耗。隨著研究的深入，QLED顯示器件的外量子效率也逐年提高，以紅光QLED顯示器件為例，其最高EQE(External Quantum Efficiency,外量子效率)已達(dá)20.8％，接近已經(jīng)推向量產(chǎn)的OLED顯示器件的EQE(25％-28％)，有望成為新一代高色彩質(zhì)量、低功耗的平板顯示技術(shù)。

目前，發(fā)光效率較高的QLED顯示器件的疊層結(jié)構(gòu)主要包括：電極，空穴傳輸層，電子傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層。其中，空穴傳輸層材料多為有機(jī)材料，其中PEDOT:PSS(聚3，4-乙撐二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸鹽)因?yàn)榫哂懈邔?dǎo)電性、高透光性以及良好的旋涂成膜性，應(yīng)用最為廣泛。電子傳輸層多采用無(wú)機(jī)材料，例如：ZnO(氧化鋅)。量子點(diǎn)電致發(fā)光層作為芯層置于兩者中間。然而PEDOT:PSS本身易吸水潮解并且其本身的酸性會(huì)腐蝕ITO(Indium TinOxides，氧化銦錫)層，從而影響到顯示器件的穩(wěn)定性。另外，有機(jī)空穴材料的導(dǎo)電性較低，流經(jīng)器件的電流密度較小，亮度效率偏低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，而提出一種全無(wú)機(jī)QLED顯示器件的疊層結(jié)構(gòu)，能夠大大提高器件的穩(wěn)定性和發(fā)光亮度。

本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題而提出的技術(shù)方案包括，提出一種全無(wú)機(jī)QLED顯示器件，包括：陽(yáng)極，陰極和位于該陽(yáng)極與該陰極之間的空穴傳輸層、電子傳輸層以及量子點(diǎn)發(fā)光層；該空穴傳輸層是由位于該陽(yáng)極上的第一空穴傳輸層和位于該第一空穴傳輸層上的第二空穴傳輸層組成，該第一空穴傳輸層的材料為氧化鎢，該第二空穴傳輸層的材料為氧化亞銅。

本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題而提出的技術(shù)方案還包括，提出一種全無(wú)機(jī)QLED顯示器件的制備方法，包括以下步驟：

對(duì)作為陽(yáng)極的ITO基板進(jìn)行清洗；

將氧化鎢附著于ITO基板表面，形成第一空穴傳輸層；

將氧化亞銅沉淀在第一空穴傳輸層上，形成第二空穴傳輸層；

將量子點(diǎn)發(fā)光層旋涂在第二空穴傳輸層上；

在量子點(diǎn)發(fā)光層上沉淀電子傳輸層；以及

在電子傳輸層上形成金屬陰極。