[發明專利]全無機QLED顯示器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710078219.7
• 申請日: 2017-02-14
• 公開（公告）號: CN106784199B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 劉代明;宋志成;劉衛東
• 申請（專利權）人: 青島海信電器股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/26;H01L33/48
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 邢雪紅;喬彬

1.一種全無機QLED顯示器件，其特征在于，包括：陽極，陰極和位于該陽極與該陰極之間的空穴傳輸層、量子點發光層以及電子傳輸層；其中，該空穴傳輸層是由位于該陽極上的第一空穴傳輸層和位于該第一空穴傳輸層上的第二空穴傳輸層組成，該第一空穴傳輸層的材料為氧化鎢，該第二空穴傳輸層的材料為氧化亞銅。

2.依據權利要求1所述的全無機QLED顯示器件，其特征在于，該第一空穴傳輸層的厚度為5nm～20nm。

3.依據權利要求1所述的全無機QLED顯示器件，其特征在于，該第二空穴傳輸層的厚度為50nm～100nm。

4.依據權利要求1至3任一項所述的全無機QLED顯示器件，其特征在于，該量子點發光層的材料為硒化鎘、碲化鎘、氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅、砷化鎵、硫化汞、砷化銦、銻化銦、磷化銦、硅、鈣鈦礦中的至少一種，其厚度為10nm～100nm。

5.依據權利要求1至3任一項所述的全無機QLED顯示器件，其特征在于，該電子傳輸層的材料為氧化鋅，其厚度為40nm～120nm。

6.一種全無機QLED顯示器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

對作為陽極的ITO基板進行清洗；

將氧化鎢附著于ITO基板表面，形成第一空穴傳輸層；

將氧化亞銅沉淀在第一空穴傳輸層上，形成第二空穴傳輸層；

將量子點發光層旋涂在第二空穴傳輸層上；

在量子點發光層上沉淀電子傳輸層；以及

在電子傳輸層上形成金屬陰極。

7.依據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的將氧化鎢附著于ITO基板表面，形成第一空穴傳輸層的步驟，具體包括：首先，將化合物前驅體乙醇鎢在甲醇溶液中攪拌12小時得到均勻的前驅液；然后，將前驅液以3000轉/分鐘的速度，旋涂在ITO基板上，旋涂時間為30秒；接著，將處理后的基板進行熱處理。

8.依據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的將氧化亞銅沉淀在第一空穴傳輸層上，形成第二空穴傳輸層的步驟，具體包括：首先，在襯底上旋涂一層CuI的乙腈或者N,N-二甲基甲酰胺溶液，將襯底在80℃的加熱臺上熱處理10分鐘以蒸發掉溶劑；然后，再將襯底浸入NaOH溶液中生成Cu₂O；隨后，用水沖洗，在氮氣環境下晾干后，在100℃加熱10分鐘。

9.依據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的將量子點發光層旋涂在第二空穴傳輸層上的步驟，具體包括：待基板冷卻后，在第二空穴傳輸層上利用旋涂工藝，旋涂量子點發光層；旋涂完成后，將器件放置在80℃的加熱臺上加熱10分鐘，除去殘留的溶劑。

10.依據權利要求6至9任一項所述的制備方法，其特征在于：所述的在量子點發光層上沉淀電子傳輸層的步驟，具體包括：首先，將氧化鋅納米顆粒分散在乙醇中，其中氧化鋅納米顆粒的濃度為50mg/mL；然后，將分散在乙醇中的氧化鋅納米顆粒以2000轉/分鐘的速度，旋涂在量子點發光層表面；旋涂完成后將器件放置在80℃的加熱臺上加熱10分鐘，除去殘留的溶劑。