[發明專利]似然值指派針對每一讀取重試在不同讀取電壓處改變正負號的讀取重試操作

在審

• 申請號: 201710076991.5
• 申請日: 2017-02-13
• 公開（公告）號: CN107068187A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 阿卜杜勒哈基姆·S·埃侯賽因;桑達爾杰·桑卡蘭阿拉亞南;瑞萬·阮;盧多維克·當讓;埃里希·F·哈拉特施
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16;G11C16/26;G11C16/34;G11C29/42;G11C29/52;H03M13/11
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 章蕾

相關申請案的交叉參考

本申請案涉及2013年12月20日申請的標題為“用于非易失性存儲器的讀取重試(Read Retry For Non-Volatile Memories)”的第2015/0149840號美國公開專利申請案以及2013年12月20日申請的標題為“存儲器的讀取通道中的多次讀取重試(Multiple Read retries in a Read Channel of a Memory)”的第2015/0162057號美國公開專利申請案，以上每一申請案以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

技術領域大體上涉及固態存儲媒體，且更具體地說涉及用于這些固態存儲媒體的讀取閾值電壓的調整。

背景技術

固態存儲裝置使用模擬存儲器單元來存儲數據。每個存儲器單元存儲存儲值，例如電氣電壓。存儲值表示存儲器單元中存儲的信息。許多固態存儲裝置基于存儲器單元的讀取電壓電平區分開存儲器單元可存儲的不同二進制值。每一存儲器單元的可能存儲值的范圍通常被分成閾值區，其中每一區通過讀取閾值電壓分隔開且對應于一或多個數據位值。理想地，給定固態存儲裝置中的所有存儲器單元對于所存儲的邏輯位值具有相同的讀取閾值電壓。然而，在實踐中，在相似于高斯分布的沿讀取閾值電壓軸的概率分布(例如，“讀取閾值電壓分布”)中，讀取閾值電壓跨單元而不同。

另外，固態存儲裝置可隨時間推移而移位。舉例來說，存儲器單元泄漏、存儲器單元損壞和對存儲器單元的其它干擾可改變存儲器單元的讀取電壓電平。因此，讀取閾值電壓可隨時間推移而移位。泄漏和其它干擾的比率還可在存儲器單元隨時間推移經使用時隨著老化而增加。如果存儲器單元的讀取電壓電平移位超過讀取閾值電壓，則發生數據誤差，因為從存儲器單元讀取的數據的值不同于寫入到存儲器單元的數據的值。

數據是成塊地從非易失性存儲器讀取，所述塊在本文中被稱作“讀取單元”或“碼字”，其通常通過包含錯誤校正而受保護以防止錯誤，例如包含使用錯誤校正算法產生的奇偶校驗位，例如低密度奇偶校驗(LDPC)編碼。在固態磁盤控制器的控制下，從非易失性存儲器單元讀取位。例如在LDPC解碼器中解碼所得數據以應用錯誤校正算法。如果數據未能在LDPC解碼器中收斂，那么可使用讀取重試操作來重新讀取數據且再次應用錯誤校正算法。雖然單元電壓是連續的，但非易失性存儲器單元一般在讀取操作之后僅提供二進制硬決策。當例如LDPC解碼算法等軟迭代解碼算法用于錯誤校正時，期望將由非易失性存儲器產生的硬決策轉換為對解碼器給予更多信息以幫助校正錯誤的軟決策。從單個讀取轉換的軟決策可能不具有足夠質量用于成功解碼。在此情況下，可使用具有變化讀取電壓的多次讀取來獲得軟決策的足夠質量。因此，讀取參考電壓的位置和頻率可直接影響軟決策的質量且最終影響通道讀取的理論信息內容。

仍需要用于執行讀取重試操作的改進的技術。

發明內容

本發明的說明性實施例提供用于讀取重試操作的方法和設備，其中似然值指派針對多次讀取重試操作在不同讀取電壓處改變正負號。在一個實施例中，一種用于存儲器的多次讀取重試的方法包括：使用第一讀取電壓從所述存儲器讀取碼字以獲得第一讀取值；基于第一似然值指派將所述第一讀取值映射到一或多個第一似然值，其中所述第一似然值指派大體上在所述第一讀取電壓處改變正負號；使用第二讀取電壓讀取所述存儲器的所述碼字以獲得第二讀取值，其中所述第二讀取電壓從所述第一讀取電壓移位以補償所述存儲器的一或多個存儲器單元的一或多個模擬電壓的預期改變；以及基于第二似然值指派將所述第二讀取值映射到一或多個第二似然值，其中所述第二似然值指派大體上在所述第二讀取電壓處改變正負號。

在至少一個實施例中，基于所述第一似然值和所述第二似然值中的一或多者使用所述碼字的迭代解碼產生讀取數據。任選地存儲提供成功解碼的給定讀取電壓，其中所述給定讀取電壓用作所述第一讀取電壓和較高優先級重試讀取電壓中的一或多者，所述較高優先級重試讀取電壓用于所述碼字的頁類型的頁的未來讀取操作。所述頁類型包括例如在大體上相似時間寫入的頁、在存儲器塊中具有大體上相似頁位置的頁以及在大體上相似時間具有突發錯誤的頁中的一或多者。

在一或多個實施例中，所述第二讀取電壓在補償由于電荷泄漏、編程/擦除循環、讀取干擾、擦除干擾中的一或多者所致的所述存儲器單元的所述模擬電壓的所述預期改變的方向上從所述第一讀取電壓移位。