[發(fā)明專利]似然值指派針對每一讀取重試在不同讀取電壓處改變正負號的讀取重試操作在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710076991.5 | 申請日： | 2017-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN107068187A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 阿卜杜勒哈基姆·S·埃侯賽因;桑達爾杰·桑卡蘭阿拉亞南;瑞萬·阮;盧多維克·當讓;埃里希·F·哈拉特施 | 申請（專利權(quán)）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/16 | 分類號： | G11C16/16;G11C16/26;G11C16/34;G11C29/42;G11C29/52;H03M13/11 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 似然值 指派 針對 每一 讀取 重試 不同 電壓 改變 負號 操作 | ||
1.一種用于存儲器的多次讀取重試的方法，其包括：
使用第一讀取電壓從所述存儲器讀取碼字以獲得第一讀取值；
基于第一似然值指派將所述第一讀取值映射到一或多個第一似然值，其中所述第一似然值指派大體上在所述第一讀取電壓處改變正負號；
使用第二讀取電壓讀取所述存儲器的所述碼字以獲得第二讀取值，其中所述第二讀取電壓從所述第一讀取電壓移位以補償所述存儲器的一或多個存儲器單元的一或多個模擬電壓的預(yù)期改變；以及
基于第二似然值指派將所述第二讀取值映射到一或多個第二似然值，其中所述第二似然值指派大體上在所述第二讀取電壓處改變正負號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括基于所述第一似然值和所述第二似然值中的一或多者使用所述碼字的迭代解碼產(chǎn)生讀取數(shù)據(jù)的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其進一步包括存儲提供成功解碼的給定讀取電壓的步驟，其中所述給定讀取電壓用作所述第一讀取電壓和較高優(yōu)先級重試讀取電壓中的一或多者，所述較高優(yōu)先級重試讀取電壓用于所述碼字的頁類型的頁的未來讀取操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述頁類型包括在大體上相似時間寫入的頁、在存儲器塊中具有大體上相似頁位置的頁以及在大體上相似時間具有突發(fā)錯誤的頁中的一或多者。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二讀取電壓在補償由于電荷泄漏、編程/擦除循環(huán)、讀取干擾、擦除干擾中的一或多者所致的所述存儲器單元的所述模擬電壓的所述預(yù)期改變的方向上從所述第一讀取電壓移位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲器包括非易失性存儲器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括記錄成功讀取電壓的歷史且使用所述成功讀取電壓用于與成功恢復(fù)的頁具有相似通道條件和相似位置中的一或多者的其它頁的讀取重試的步驟，其中所述相似通道條件和所述相似位置中的所述一或多者是基于一或多個預(yù)定義相似性條件。
8.一種有形機器可讀可記錄存儲媒體，其中一或多個軟件程序當由一或多個處理裝置執(zhí)行時實施根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法的步驟。
9.一種裝置，其包括：
控制器，其經(jīng)配置以通過實施以下步驟而執(zhí)行存儲器的多次讀取重試：
使用第一讀取電壓從所述存儲器讀取碼字以獲得第一讀取值；
基于第一似然值指派將所述第一讀取值映射到一或多個第一似然值，其中所述第一似然值指派大體上在所述第一讀取電壓處改變正負號；
使用第二讀取電壓讀取所述存儲器的所述碼字以獲得第二讀取值，其中所述第二讀取電壓從所述第一讀取電壓移位以補償所述存儲器的一或多個存儲器單元的一或多個模擬電壓的預(yù)期改變；以及
基于第二似然值指派將所述第二讀取值映射到一或多個第二似然值，其中所述第二似然值指派大體上在所述第二讀取電壓處改變正負號。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其進一步包括基于所述第一似然值和所述第二似然值中的一或多者使用所述碼字的迭代解碼產(chǎn)生讀取數(shù)據(jù)的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其進一步包括存儲提供成功解碼的給定讀取電壓的步驟，其中所述給定讀取電壓用作所述第一讀取電壓和較高優(yōu)先級重試讀取電壓中的一或多者，所述較高優(yōu)先級重試讀取電壓用于所述碼字的頁類型的頁的未來讀取操作。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述頁類型包括在大體上相似時間寫入的頁、在存儲器塊中具有大體上相似頁位置的頁以及在大體上相似時間具有突發(fā)錯誤的頁中的一或多者。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述第二讀取電壓在補償由于電荷泄漏、編程/擦除循環(huán)、讀取干擾、擦除干擾中的一或多者所致的所述存儲器單元的所述模擬電壓的所述預(yù)期改變的方向上從所述第一讀取電壓移位。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述存儲器包括非易失性存儲器。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其進一步包括記錄成功讀取電壓的歷史且使用所述成功讀取電壓用于與成功恢復(fù)的頁具有相似通道條件和相似位置中的一或多者的其它頁的讀取重試的步驟，其中所述相似通道條件和所述相似位置中的所述一或多者是基于一或多個預(yù)定義相似性條件。
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