[發(fā)明專利]電容器封裝結(jié)構(gòu)及其抗氧化復(fù)合式電極箔在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710075927.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108428552A | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錢明谷;林杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鈺邦科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01G4/008 | 分類號(hào): | H01G4/008;H01G4/224;H01G4/32 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 梁麗超;陳鵬 |
| 地址: | 中國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu) 含碳材料 復(fù)合式電極 抗氧化 電容器封裝結(jié)構(gòu) 含氧金屬化合物 基底材料 抗氧化功能 結(jié)構(gòu)設(shè)置 外界氧氣 穿過 阻擋 | ||
本發(fā)明公開一種電容器封裝結(jié)構(gòu)及其抗氧化復(fù)合式電極箔。抗氧化復(fù)合式電極箔包括一基底材料結(jié)構(gòu)、一第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)以及一第一含碳材料結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底材料結(jié)構(gòu)上。第一含碳材料結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)上。第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其中一部分為接觸第一含碳材料結(jié)構(gòu)的一第一含氧金屬化合物層。第一含氧金屬化合物層設(shè)置在第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其余部分與第一含碳材料結(jié)構(gòu)之間,以阻擋穿過第一含碳材料結(jié)構(gòu)的外界氧氣去接觸第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其余部分,借此以提升抗氧化復(fù)合式電極箔的抗氧化功能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其電極箔,特別是涉及一種電容器封裝結(jié)構(gòu)及其抗氧化復(fù)合式電極箔。
背景技術(shù)
電容器已廣泛被使用于消費(fèi)性家電用品、計(jì)算機(jī)主板、電源供應(yīng)器、通訊產(chǎn)品以及汽車等的基本組件,其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉(zhuǎn)相等等,是電子產(chǎn)品中不可缺少的組件之一。電容器依照不同的材質(zhì)以及用途,有不同的型態(tài),包括有鋁質(zhì)電解電容、鉭質(zhì)電解電容、積層陶瓷電容、卷繞型或堆棧型固態(tài)電解電容器以及薄膜電容等等。現(xiàn)有技術(shù)中,卷繞型固態(tài)電解電容器包括有電容器組件、收容構(gòu)件以及封口構(gòu)件。電容器組件隔著絕緣件將一連接陽極端子的陽極箔與一連接陰極端子的陰極箔進(jìn)行卷繞。收容構(gòu)件具有開口部且可收容電容器組件。封口構(gòu)件具有一可供陽極端子及陰極端子貫穿的貫穿孔以及一可密封收容構(gòu)件的封口部。然而,現(xiàn)有的卷繞型固態(tài)電解電容器的電容器組件的陽極箔與陰極箔的抗氧化功能較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種電容器封裝結(jié)構(gòu)及其抗氧化復(fù)合式電極箔。
為了解決上述的技術(shù)問題,本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是,提供一種抗氧化復(fù)合式電極箔,其包括:一基底材料結(jié)構(gòu)、一第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)以及一第一含碳材料結(jié)構(gòu)。所述基底材料結(jié)構(gòu)具有一上表面以及一下表面。所述第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述基底材料結(jié)構(gòu)的上表面。所述第一含碳材料結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)上。其中,所述第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其中一部分為接觸所述第一含碳材料結(jié)構(gòu)的一第一最外層,所述第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的所述第一最外層為通過氧化作用而形成的一第一含氧金屬化合物層,且所述第一含氧金屬化合物層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其余部分與所述第一含碳材料結(jié)構(gòu)之間,以阻擋穿過所述第一含碳材料結(jié)構(gòu)的外界氧氣去接觸所述第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其余部分。
更進(jìn)一步地,所述抗氧化復(fù)合式電極箔進(jìn)一步包括:一第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)以及一第二含碳材料結(jié)構(gòu)。所述第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述基底材料結(jié)構(gòu)的下表面。所述第二含碳材料結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)上。其中,所述第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其中一部分為接觸所述第二含碳材料結(jié)構(gòu)的一第二最外層,所述第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的所述第二最外層為通過氧化作用而形成的一第二含氧金屬化合物層,且所述第二含氧金屬化合物層設(shè)置在所述第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其余部分與所述第二含碳材料結(jié)構(gòu)之間,以阻擋穿過所述第二含碳材料結(jié)構(gòu)的外界氧氣去接觸所述第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)的其余部分。
更進(jìn)一步地,所述基底材料結(jié)構(gòu)為一單一的金屬層或者一由多個(gè)金屬層依序堆棧所形成,其中,所述第一導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)為一單一的第一導(dǎo)電材料層或者一由多個(gè)第一導(dǎo)電材料層依序堆棧所形成,且所述第一含碳材料結(jié)構(gòu)為一單一的第一含碳材料層或者一由多個(gè)第一含碳材料層依序堆棧所形成,其中,所述第二導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)為一單一的第二導(dǎo)電材料層或者一由多個(gè)第二導(dǎo)電材料層依序堆棧所形成,且所述第二含碳材料結(jié)構(gòu)為一單一的第二含碳材料層或者一由多個(gè)第二含碳材料層依序堆棧所形成,其中,所述第一導(dǎo)電材料層為一第一金屬層、一第一金屬合金層以及一第一金屬化合物層三者其中之一,且所述第二導(dǎo)電材料層為一第二金屬層、一第二金屬合金層以及一第二金屬化合物層三者其中之一。
更進(jìn)一步地,所述抗氧化復(fù)合式電極箔進(jìn)一步包括:一低活性金屬結(jié)構(gòu)以及一第二含碳材料結(jié)構(gòu)。所述低活性金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述基底材料結(jié)構(gòu)的下表面。所述第二含碳材料結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述低活性金屬結(jié)構(gòu)上,其中,穿過所述第二含碳材料結(jié)構(gòu)的外界氧氣被阻擋在所述低活性金屬結(jié)構(gòu)的外部。
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