[發明專利]電容器封裝結構及其抗氧化復合式電極箔

在審

• 申請號: 201710075927.5
• 申請日: 2017-02-13
• 公開（公告）號: CN108428552A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 錢明谷;林杰
• 申請（專利權）人: 鈺邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01G4/008
• 分類號: H01G4/008;H01G4/224;H01G4/32
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁麗超;陳鵬

1.一種抗氧化復合式電極箔，其特征在于，所述抗氧化復合式電極箔包括：

一基底材料結構，所述基底材料結構具有一上表面以及一下表面；

一第一導電材料結構，所述第一導電材料結構設置在所述基底材料結構的上表面；以及

一第一含碳材料結構，所述第一含碳材料結構設置在所述第一導電材料結構上；

其中，所述第一導電材料結構的其中一部分為接觸所述第一含碳材料結構的一第一最外層，所述第一導電材料結構的所述第一最外層為通過氧化作用而形成的一第一含氧金屬化合物層，且所述第一含氧金屬化合物層設置在所述第一導電材料結構的其余部分與所述第一含碳材料結構之間，以阻擋穿過所述第一含碳材料結構的外界氧氣去接觸所述第一導電材料結構的其余部分。

2.根據權利要求1所述的抗氧化復合式電極箔，其特征在于，所述抗氧化復合式電極箔進一步包括：

一第二導電材料結構，所述第二導電材料結構設置在所述基底材料結構的下表面；以及

一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述第二導電材料結構上；

其中，所述第二導電材料結構的其中一部分為接觸所述第二含碳材料結構的一第二最外層，所述第二導電材料結構的所述第二最外層為通過氧化作用而形成的一第二含氧金屬化合物層，且所述第二含氧金屬化合物層設置在所述第二導電材料結構的其余部分與所述第二含碳材料結構之間，以阻擋穿過所述第二含碳材料結構的外界氧氣去接觸所述第二導電材料結構的其余部分。

3.根據權利要求2所述的抗氧化復合式電極箔，其特征在于，所述基底材料結構為一單一的金屬層或者一由多個金屬層依序堆棧所形成，其中，所述第一導電材料結構為一單一的第一導電材料層或者一由多個第一導電材料層依序堆棧所形成，且所述第一含碳材料結構為一單一的第一含碳材料層或者一由多個第一含碳材料層依序堆棧所形成，其中，所述第二導電材料結構為一單一的第二導電材料層或者一由多個第二導電材料層依序堆棧所形成，且所述第二含碳材料結構為一單一的第二含碳材料層或者一由多個第二含碳材料層依序堆棧所形成，其中，所述第一導電材料層為一第一金屬層、一第一金屬合金層以及一第一金屬化合物層三者其中之一，且所述第二導電材料層為一第二金屬層、一第二金屬合金層以及一第二金屬化合物層三者其中之一。

4.根據權利要求1所述的抗氧化復合式電極箔，其特征在于，所述抗氧化復合式電極箔進一步包括：

一低活性金屬結構，所述低活性金屬結構設置在所述基底材料結構的下表面；以及

一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述低活性金屬結構上，其中，穿過所述第二含碳材料結構的外界氧氣被阻擋在所述低活性金屬結構的外部。

5.一種抗氧化復合式電極箔，其特征在于，所述抗氧化復合式電極箔包括：

一基底材料結構；

一第一導電材料結構，所述第一導電材料結構設置在所述基底材料結構上；以及

一第一含碳材料結構，所述第一含碳材料結構設置在所述第一導電材料結構上；

其中，所述第一導電材料結構的其中一部分為接觸所述第一含碳材料結構的一第一含氧金屬化合物層，且所述第一含氧金屬化合物層設置在所述第一導電材料結構的其余部分與所述第一含碳材料結構之間。

6.根據權利要求5所述的抗氧化復合式電極箔，其特征在于，所述抗氧化復合式電極箔進一步包括：

一第二導電材料結構，所述第二導電材料結構設置在所述基底材料結構上；以及

一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述第二導電材料結構上；

其中，所述第二導電材料結構的其中一部分為接觸所述第二含碳材料結構的一第二含氧金屬化合物層，且所述第二含氧金屬化合物層設置在所述第二導電材料結構的其余部分與所述第二含碳材料結構之間。