[發明專利]一種利用稀土尾砂制備超平拋釉陶瓷磚的方法有效
| 申請號: | 201710075825.3 | 申請日: | 2017-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN106747296B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 余峰;陳婧;譚麗;萬萍;程磊 | 申請(專利權)人: | 景德鎮陶瓷大學 |
| 主分類號: | C04B33/13 | 分類號: | C04B33/13;C04B33/132;C04B33/34;C03C8/00;C03C8/02;C03C8/14 |
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| 地址: | 333000 *** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 利用 稀土 制備 超平拋 釉陶 瓷磚 方法 | ||
1.一種利用稀土尾砂制備超平拋釉陶瓷磚的方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)坯體底層粉料的制備:
所述坯體底層粉料組成的質量百分比為:稀土尾砂50~55%、高嶺土10~20%、鈉長石10~15%、方解石10~15%、硅灰石10~15%;
所述坯體底層粉料的制備工序為:先將稀土尾砂經過破碎、磨碎、酸洗后過120目篩,篩余為0.3%,然后再按坯體底層粉料配方稱量原料,混合均勻后裝入球磨設備內球磨,出磨漿料導入干燥塔進行干燥,制成坯體底層粉料備用;
(2)坯體面層粉料的制備:
所述坯體面層粉料組成的質量百分比為:稀土尾砂15~25%、高嶺土30~40%、鉀長石15~20%、方解石10~15%、硅灰石20~30%;
所述坯體面層粉料的制備工序為:先將稀土尾砂經過破碎、磨碎、酸洗后過200目篩,篩余為0.2%,然后再按坯體面層粉料配方稱量原料,混合均勻后裝入球磨設備內球磨,出磨漿料導入干燥塔進行干燥,制成坯體面層粉料備用;
(3)底釉層原料的制備:
所述底釉層原料組成的質量百分比為:石英30~40%、石灰石15~20%、燒滑石15~20%、氧化鋁15~20%、鈉長石15~25%;
所述底釉層原料的制備工序為:按底釉層配方稱量原料,混合均勻后裝入球磨設備內球磨,出磨漿料過250目篩后攪拌均勻,制成底釉層原料備用;
(4)面釉層原料的制備:
所述面釉層原料組成的質量百分比為:石英10~15%、煅燒高嶺土15~25%、燒滑石15~20%、氧化鋁15~20%、鉀長石15~25%、熔塊10~15%;
熔塊的化學重量百分組成為:Na2O 10%、CaO 20%、ZrSiO4 25%、Al2O315%、SiO210%、B2O3 20%;
所述面釉層原料制備工序為:按面釉層配方稱量原料,混合均勻后裝入球磨設備內球磨,出磨漿料過250目篩后攪拌均勻,制成面釉層原料備用;
(5)坯體制備:先后將坯體底層粉料和坯體面層粉料送入至壓坯機內成型為瓷磚坯;
(6)施底釉:在干燥后的瓷磚坯表面噴淋厚度為0.4mm的底釉層原料;
(7)施面釉:在噴墨、印花后的瓷磚坯表面噴淋厚度為0.6mm的面釉層原料;
(8)拋釉;
(9)燒成:先在450℃溫度燒制8min ,再在950℃溫度燒制10min,再在1160℃溫度燒制40min,最后降溫并在1000℃溫度燒制10 min;
(10)拋光。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟(5)中坯體底層粉料與坯體面層粉料厚度的比例為3:1。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟(6)中干燥的溫度為150℃,時間為1小時,瓷磚坯體含水率達到0.5%以下。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟(6)中底釉層原料的比重為1.61g/ml,所述步驟(7)中面釉層原料的比重為1.91 g/ml。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟(1)中坯體底層粉料的顆粒粒徑為30~90目,其中30~50目的占60wt%,50~70目的占25wt%,80~90目的占15wt%。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟(2)中坯體面層粉料的顆粒粒徑為60~120目,其中60~80目的占30wt%,80~100目的占25wt%,100~120目的占45wt%。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟(8)的拋釉和(10)的拋光采用全拋釉工藝。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述步驟(1)和(2)中稀土尾砂酸洗所用酸液為pH值為5的鹽酸溶液。
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