[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710075746.2
• 申請日: 2017-02-13
• 公開（公告）號: CN107086266B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許萬優(yōu)
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L25/075
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

本發(fā)明提供了一種半導體發(fā)光器件封裝件。該半導體發(fā)光器件封裝件包括襯底、位于襯底上的半導體發(fā)光器件以及覆蓋半導體發(fā)光器件的密封層。密封層包括：多個環(huán)形部分，在平面圖中從襯底的邊緣向襯底的中心順序地布置所述多個環(huán)形部分；以及中心部分，所述多個環(huán)形部分中的最里面的一個環(huán)形部分環(huán)繞所述中心部分。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年2月12日提交的韓國專利申請No.10-2016-0016472的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

符合本發(fā)明構(gòu)思示例性實施例的設(shè)備和方法涉及一種半導體發(fā)光器件封裝件，更具體地，涉及一種板上芯片(COB)型半導體發(fā)光器件封裝件。

背景技術(shù)

諸如發(fā)光二極管的半導體發(fā)光器件是其中包含發(fā)光材料以發(fā)射光的器件。半導體發(fā)光器件將由于電子與空穴的復合而產(chǎn)生的能量以要從半導體發(fā)光器件發(fā)射的光的形式釋放出來。這種發(fā)光二極管(LED)目前廣泛用作照明元件、顯示裝置和光源，并且其發(fā)展得以加速。

特別地，近來在基于鎵的氮化物的LED的發(fā)展和應(yīng)用上的增長以及使用基于鎵的氮化物的LED的移動裝置鍵區(qū)、轉(zhuǎn)向信號燈和相機閃光燈等的商業(yè)化已經(jīng)導致使用LED的通用照明裝置加速發(fā)展。隨著LED的應(yīng)用從小型便攜產(chǎn)品擴展到具有高輸出和高效率的大尺寸產(chǎn)品(例如大型TV的背光單元、車輛的頭燈和通用照明裝置等)，需要具有適于上述這些應(yīng)用的特點的光源。

隨著半導體發(fā)光器件的范圍擴大，需要對半導體發(fā)光器件封裝件的光提取效率和可靠性的改善進行研究。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供了一種具有提高的光提取效率的半導體發(fā)光器件封裝件。

根據(jù)示例性實施例，提供了一種半導體發(fā)光器件封裝件，其可包括：襯底；襯底上的半導體發(fā)光器件；以及覆蓋半導體發(fā)光器件的密封層。密封層可包括：多個環(huán)形部分，在平面圖中從襯底的邊緣向襯底的中心順序地布置所述多個環(huán)形部分；以及中心部分，所述多個環(huán)形部分中的最里面的一個環(huán)形部分環(huán)繞所述中心部分。

根據(jù)示例性實施例，提供了一種半導體發(fā)光器件封裝件，其可包括：襯底；襯底上的半導體發(fā)光器件；以及覆蓋半導體發(fā)光器件的密封層。密封層可包括在遠離襯底的方向上凸出地突起的凸部。凸部可包括在平面圖中構(gòu)成同心圓的頂點。

根據(jù)示例性實施例，提供了一種半導體發(fā)光器件封裝件，其可包括：襯底；襯底上的多個半導體發(fā)光器件；以及覆蓋半導體發(fā)光器件的密封層。密封層可包括第一層和設(shè)置在第一層上方的第二層。第一層的頂表面可為實質(zhì)上平坦的，而第二層的頂表面可包括多個凸出頂表面部。

附圖說明

為了提供對示例性實施例的進一步理解而包括附圖，其合并在此并且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出了示例性實施例，并且與本說明一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。在附圖中：

圖1是示出根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件封裝件的平面圖；

圖2A和圖2B是根據(jù)示例性實施例的分別沿圖1的線A-A'和線B-B'截取的截面圖；

圖3A和圖4A是示出根據(jù)示例性實施例的制造半導體發(fā)光器件封裝件的方法的沿圖1的線A-A'截取的截面圖；

圖3B和圖4B是根據(jù)示例性實施例的沿圖1的線B-B'截取的截面圖；

圖5A和圖5B是示出根據(jù)示例性實施例的制造半導體發(fā)光器件封裝件的方法的分別沿圖1的線A-A'和線B-B'截取的截面圖；

圖6A和圖6B是示出根據(jù)示例性實施例的制造半導體發(fā)光器件封裝件的方法的分別沿圖1的線A-A'和線B-B'截取的截面圖；